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晶體管

記錄 64,903
頁面 81/2164
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型號
描述
庫存
數量
PRMH9Z
PRMH9Z

Nexperia

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

PRMH9/SOT1268/DFN1412-6

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: Automotive, AEC-Q101
  • 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 100 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 1µA
  • 頻率-過渡: 230MHz
  • 功率-最大: 480mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 6-XFDFN Exposed Pad
  • 供應商設備包裝: DFN1412-6
庫存53,388
PUMB10,115
PUMB10,115

Nexperia

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W 6TSSOP

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 2.2kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 100 @ 10mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 100nA
  • 頻率-過渡: 180MHz
  • 功率-最大: 300mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 供應商設備包裝: 6-TSSOP
庫存21,780
PUMB11,115
PUMB11,115

Nexperia

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W 6TSSOP

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 10kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 30 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 1µA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 300mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 供應商設備包裝: 6-TSSOP
庫存235,200
PUMB11,135
PUMB11,135

Nexperia

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W 6TSSOP

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 10kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 30 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 1µA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 300mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 供應商設備包裝: 6-TSSOP
庫存2,304
PUMB1,115
PUMB1,115

Nexperia

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W 6TSSOP

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 22kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 22kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 60 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 1µA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 300mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 供應商設備包裝: 6-TSSOP
庫存2,664
PUMB1,135
PUMB1,135

Nexperia

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W 6TSSOP

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 22kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 22kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 60 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 1µA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 300mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 供應商設備包裝: 6-TSSOP
庫存7,902
PUMB13,115
PUMB13,115

Nexperia

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W 6TSSOP

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 4.7kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 100 @ 10mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 1µA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 300mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 供應商設備包裝: 6-TSSOP
庫存8,568
PUMB14,115
PUMB14,115

Nexperia

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W 6TSSOP

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 47kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 100 @ 1mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 1µA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 300mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 供應商設備包裝: 6-TSSOP
庫存5,760
PUMB15,115
PUMB15,115

Nexperia

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W 6TSSOP

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 4.7kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 4.7kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 30 @ 10mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 1µA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 300mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 供應商設備包裝: 6-TSSOP
庫存7,668
PUMB16,115
PUMB16,115

Nexperia

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W 6TSSOP

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 22kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 1µA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 300mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 供應商設備包裝: 6-TSSOP
庫存6,966
PUMB17,115
PUMB17,115

Nexperia

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W 6TSSOP

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 47kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 22kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 60 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 1µA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 300mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 供應商設備包裝: 6-TSSOP
庫存7,200
PUMB18,115
PUMB18,115

Nexperia

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W 6TSSOP

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 4.7kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 10kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 50 @ 10mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 1µA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 300mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 供應商設備包裝: 6-TSSOP
庫存7,506
PUMB19,115
PUMB19,115

Nexperia

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W 6TSSOP

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 22kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 100 @ 1mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 1µA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 300mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 供應商設備包裝: 6-TSSOP
庫存5,868
PUMB1/DG/B3,115
PUMB1/DG/B3,115

Nexperia

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS RET SC-88

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 22kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 22kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 60 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 100nA
  • 頻率-過渡: 180MHz
  • 功率-最大: 300mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 供應商設備包裝: SOT-363
庫存7,848
PUMB20,115
PUMB20,115

Nexperia

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W 6TSSOP

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 2.2kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 2.2kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 30 @ 20mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 1µA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 300mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 供應商設備包裝: 6-TSSOP
庫存7,632
PUMB2,115
PUMB2,115

Nexperia

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W 6TSSOP

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 47kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 1µA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 300mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 供應商設備包裝: 6-TSSOP
庫存158,694
PUMB24,115
PUMB24,115

Nexperia

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W 6TSSOP

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 20mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 100kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 100kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 1µA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 300mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 供應商設備包裝: 6-TSSOP
庫存7,596
PUMB2/DG/B3,115
PUMB2/DG/B3,115

Nexperia

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS RET SC-88

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 47kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 1µA
  • 頻率-過渡: 180MHz
  • 功率-最大: 300mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 供應商設備包裝: SOT-363
庫存6,264
PUMB2F
PUMB2F

Nexperia

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

PUMB2/SOT363/SC-88

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: Automotive, AEC-Q101
  • 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 47kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 1µA
  • 頻率-過渡: 180MHz
  • 功率-最大: 300mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 供應商設備包裝: 6-TSSOP
庫存7,452
PUMB30,115
PUMB30,115

Nexperia

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W 6TSSOP

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 2.2kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 30 @ 20mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 1µA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 300mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 供應商設備包裝: 6-TSSOP
庫存3,960
PUMB3,115
PUMB3,115

Nexperia

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W 6TSSOP

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 4.7kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 200 @ 1mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 1µA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 300mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 供應商設備包裝: 6-TSSOP
庫存7,830
PUMB4,115
PUMB4,115

Nexperia

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W 6TSSOP

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 200 @ 1mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 1µA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 300mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 供應商設備包裝: 6-TSSOP
庫存4,122
PUMB9,115
PUMB9,115

Nexperia

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W 6TSSOP

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 100 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 1µA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 300mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 供應商設備包裝: 6-TSSOP
庫存18,018
PUMB9,125
PUMB9,125

Nexperia

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W 6TSSOP

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 100 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 1µA
  • 頻率-過渡: 180MHz
  • 功率-最大: 300mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 供應商設備包裝: 6-TSSOP
庫存22,332
PUMD10,115
PUMD10,115

Nexperia

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS NPN/PNP PREBIAS 6TSSOP

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 2.2kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 100 @ 10mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 100nA (ICBO)
  • 頻率-過渡: 230MHz
  • 功率-最大: 300mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 供應商設備包裝: 6-TSSOP
庫存58,140
PUMD10,125
PUMD10,125

Nexperia

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 2.2kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 100 @ 10mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 1µA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 供應商設備包裝: 6-TSSOP
庫存2,250
PUMD10,135
PUMD10,135

Nexperia

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 2.2kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 100 @ 10mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 1µA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 300mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 供應商設備包裝: 6-TSSOP
庫存73,266
PUMD12,115
PUMD12,115

Nexperia

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 47kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 1µA
  • 頻率-過渡: 230MHz, 180MHz
  • 功率-最大: 300mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 供應商設備包裝: 6-TSSOP
庫存318,972
PUMD12,135
PUMD12,135

Nexperia

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 47kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 1µA
  • 頻率-過渡: 230MHz, 180MHz
  • 功率-最大: 300mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 供應商設備包裝: 6-TSSOP
庫存8,316
PUMD12/DG/B3,115
PUMD12/DG/B3,115

Nexperia

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS RET SC-88

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 47kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 1µA
  • 頻率-過渡: 230MHz, 180MHz
  • 功率-最大: 300mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 供應商設備包裝: SOT-363
庫存6,192