晶體管

PUMH9,135

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W 6TSSOP

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 5mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: 300mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: 6-TSSOP

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PUMH9,165

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W 6TSSOP

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 5mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: 300mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: 6-TSSOP

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PUML1,115

NXP

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN PREBIAS/NPN 6TSSOP

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA, 200mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 10kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 5mA, 5V / 210 @ 2mA, 10V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA
• 頻率-過渡: 230MHz
• 功率-最大: 300mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: 6-TSSOP

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QSH29TR

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 1.25W TSMT6

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 70V
• 電阻-基本（R1）: 10kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 500 @ 200mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 1mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO)
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: 1.25W
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
• 供應商設備包裝: TSMT6 (SC-95)

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RN1501(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 4.7kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 4.7kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 10mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 頻率-過渡: 250MHz
• 功率-最大: 300mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-74A, SOT-753
• 供應商設備包裝: SMV

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RN1502(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 10kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 頻率-過渡: 250MHz
• 功率-最大: 300mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-74A, SOT-753
• 供應商設備包裝: SMV

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RN1503(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 22kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 22kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 10mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 頻率-過渡: 250MHz
• 功率-最大: 300mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-74A, SOT-753
• 供應商設備包裝: SMV

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RN1505(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 2.2kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 頻率-過渡: 250MHz
• 功率-最大: 300mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-74A, SOT-753
• 供應商設備包裝: SMV

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RN1506(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 4.7kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 頻率-過渡: 250MHz
• 功率-最大: 300mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-74A, SOT-753
• 供應商設備包裝: SMV

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RN1507(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 頻率-過渡: 250MHz
• 功率-最大: 300mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-74A, SOT-753
• 供應商設備包裝: SMV

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RN1508(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 22kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 頻率-過渡: 250MHz
• 功率-最大: 300mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-74A, SOT-753
• 供應商設備包裝: SMV

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RN1509(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 47kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 22kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 10mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 頻率-過渡: 250MHz
• 功率-最大: 300mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-74A, SOT-753
• 供應商設備包裝: SMV

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RN1510(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 4.7kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 頻率-過渡: 250MHz
• 功率-最大: 300mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-74A, SOT-753
• 供應商設備包裝: SMV

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RN1511(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 頻率-過渡: 250MHz
• 功率-最大: 300mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-74A, SOT-753
• 供應商設備包裝: SMV

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RN1601(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 4.7kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 4.7kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 10mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 頻率-過渡: 250MHz
• 功率-最大: 300mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-74, SOT-457
• 供應商設備包裝: SM6

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RN1602(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 10kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 頻率-過渡: 250MHz
• 功率-最大: 300mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-74, SOT-457
• 供應商設備包裝: SM6

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RN1604(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 47kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 頻率-過渡: 250MHz
• 功率-最大: 300mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-74, SOT-457
• 供應商設備包裝: SM6

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RN1605TE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 2.2kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 頻率-過渡: 250MHz
• 功率-最大: 300mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-74, SOT-457
• 供應商設備包裝: SM6

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RN1606(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 4.7kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 頻率-過渡: 250MHz
• 功率-最大: 300mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-74, SOT-457
• 供應商設備包裝: SM6

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RN1607(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 頻率-過渡: 250MHz
• 功率-最大: 300mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-74, SOT-457
• 供應商設備包裝: SM6

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RN1608(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 22kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 頻率-過渡: 250MHz
• 功率-最大: 300mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-74, SOT-457
• 供應商設備包裝: SM6

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RN1609(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 47kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 22kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 10mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 頻率-過渡: 250MHz
• 功率-最大: 300mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-74, SOT-457
• 供應商設備包裝: SM6

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RN1610(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 4.7kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 頻率-過渡: 250MHz
• 功率-最大: 300mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-74, SOT-457
• 供應商設備包裝: SM6

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RN1611(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 頻率-過渡: 250MHz
• 功率-最大: 300mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-74, SOT-457
• 供應商設備包裝: SM6

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RN1673(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 47kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: 300mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-74, SOT-457
• 供應商設備包裝: SM6

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RN1701JE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 4.7kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 4.7kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 10mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 頻率-過渡: 250MHz
• 功率-最大: 100mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOT-553
• 供應商設備包裝: ESV

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RN1701,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

NPNX2 BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER4.7K

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: *
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• 電阻-基本（R1）: -
• 電阻-發射極基（R2）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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RN1702JE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 10kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 頻率-過渡: 250MHz
• 功率-最大: 100mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOT-553
• 供應商設備包裝: ESV

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RN1702,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

NPNX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BER10KOH

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: *
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• 電阻-基本（R1）: -
• 電阻-發射極基（R2）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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RN1703JE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 22kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 22kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 10mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 頻率-過渡: 250MHz
• 功率-最大: 100mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOT-553
• 供應商設備包裝: ESV

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