晶體管

型號	描述	庫存
SI7234DP-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 12V 60A PPAK SO-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 60A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 120nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5000pF @ 6V 功率-最大: 46W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: PowerPAK® SO-8 Dual 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 Dual	庫存3,384
SI7236DP-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 20V 60A PWRPAK 8-SO 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 60A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.2mOhm @ 20.7A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 105nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4000pF @ 10V 功率-最大: 46W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: PowerPAK® SO-8 Dual 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 Dual	庫存4,356
SI7236DP-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 20V 60A PPAK SO-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 60A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.2mOhm @ 20.7A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 105nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4000pF @ 10V 功率-最大: 46W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: PowerPAK® SO-8 Dual 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 Dual	庫存29,232
SI7252DP-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 100V 36.7A PPAK 8SO 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 36.7A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 18mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 27nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1170pF @ 50V 功率-最大: 46W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: PowerPAK® SO-8 Dual 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 Dual	請求報價
SI7270DP-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.8V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 21nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 900pF @ 15V 功率-最大: 17.8W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: PowerPAK® SO-8 Dual 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 Dual	庫存6,786
SI7272DP-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.3mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 26nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1100pF @ 15V 功率-最大: 22W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: PowerPAK® SO-8 Dual 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 Dual	庫存82,320
SI7288DP-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.8V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 565pF @ 20V 功率-最大: 15.6W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: PowerPAK® SO-8 Dual 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 Dual	庫存40,292
SI7501DN-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 30V 5.4A 1212-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N and P-Channel, Common Drain FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.4A, 4.5A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 7.7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: 1.6W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: PowerPAK® 1212-8 Dual 供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8 Dual	庫存8,694
SI7501DN-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 30V 5.4A 1212-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N and P-Channel, Common Drain FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.4A, 4.5A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 7.7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: 1.6W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: PowerPAK® 1212-8 Dual 供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8 Dual	庫存7,884
SI7530DP-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 60V 3A PPAK SO-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N and P-Channel FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A, 3.2A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 75mOhm @ 4.6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: 1.4W, 1.5W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: PowerPAK® SO-8 Dual 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 Dual	庫存3,400
SI7540ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH POWERPAK8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N and P-Channel FET功能: - 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A, 9A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 28mOhm @ 12A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 48nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1310pF @ 10V 功率-最大: 3.5W 工作溫度: -55°C ~ 150°C 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: PowerPAK® SO-8 Dual 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 Dual	庫存3,960
SI7540DP-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 12V 7.6A PPAK SO-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N and P-Channel FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.6A, 5.7A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17mOhm @ 11.8A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: 1.4W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: PowerPAK® SO-8 Dual 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 Dual	庫存7,542
SI7540DP-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 12V 7.6A PPAK SO-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N and P-Channel FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.6A, 5.7A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17mOhm @ 11.8A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: 1.4W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: PowerPAK® SO-8 Dual 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 Dual	庫存8,784
SI7842DP-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 6.3A PPAK SO-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: LITTLE FOOT® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.3A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: 1.4W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: PowerPAK® SO-8 Dual 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 Dual	庫存8,532
SI7842DP-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 6.3A PPAK SO-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: LITTLE FOOT® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.3A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: 1.4W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: PowerPAK® SO-8 Dual 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 Dual	庫存5,868
SI7844DP-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.4A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 22mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: 1.4W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: PowerPAK® SO-8 Dual 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 Dual	庫存8,406
SI7844DP-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.4A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 22mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: 1.4W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: PowerPAK® SO-8 Dual 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 Dual	庫存2,826
SI7872DP-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: LITTLE FOOT® FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.4A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: 1.4W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: PowerPAK® SO-8 Dual 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 Dual	庫存4,518
SI7872DP-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: LITTLE FOOT® FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.4A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: 1.4W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: PowerPAK® SO-8 Dual 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 Dual	庫存8,748
SI7900AEDN-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 20V 6A 1212-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 26mOhm @ 8.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 900mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: 1.5W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: PowerPAK® 1212-8 Dual 供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8 Dual	庫存745,362
SI7900AEDN-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 26mOhm @ 8.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 900mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: 1.5W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: PowerPAK® 1212-8 Dual 供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8 Dual	庫存3,384
SI7901EDN-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 1212-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.3A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 48mOhm @ 6.3A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 800µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: 1.3W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: PowerPAK® 1212-8 Dual 供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8 Dual	庫存7,236
SI7901EDN-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 1212-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.3A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 48mOhm @ 6.3A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 800µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: 1.3W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: PowerPAK® 1212-8 Dual 供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8 Dual	庫存4,932
SI7904BDN-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 20V 6A 1212-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 30mOhm @ 7.1A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24nC @ 8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 860pF @ 10V 功率-最大: 17.8W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: PowerPAK® 1212-8 Dual 供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8 Dual	庫存3,582
SI7904BDN-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 30mOhm @ 7.1A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24nC @ 8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 860pF @ 10V 功率-最大: 17.8W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: PowerPAK® 1212-8 Dual 供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8 Dual	庫存4,608
SI7904DN-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 20V 5.3A 1212-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.3A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 30mOhm @ 7.7A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 935µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: 1.3W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: PowerPAK® 1212-8 Dual 供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8 Dual	庫存6,012
SI7904DN-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 20V 5.3A 1212-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.3A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 30mOhm @ 7.7A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 935µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: 1.3W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: PowerPAK® 1212-8 Dual 供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8 Dual	庫存2,250
SI7905DN-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2P-CH 40V 6A 1212-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 60mOhm @ 5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 880pF @ 20V 功率-最大: 20.8W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: PowerPAK® 1212-8 Dual 供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8 Dual	庫存5,238
SI7905DN-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2P-CH 40V 6A PPAK 1212-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 60mOhm @ 5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 880pF @ 20V 功率-最大: 20.8W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: PowerPAK® 1212-8 Dual 供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8 Dual	庫存6,949
SI7909DN-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2P-CH 12V 5.3A 1212-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.3A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 37mOhm @ 7.7A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 700µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: 1.3W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: PowerPAK® 1212-8 Dual 供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8 Dual	庫存5,688

SI7234DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 12V 60A PPAK SO-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 60A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 120nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5000pF @ 6V
功率-最大: 46W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: PowerPAK® SO-8 Dual
供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 Dual

庫存3,384

SI7236DP-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 20V 60A PWRPAK 8-SO

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 60A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.2mOhm @ 20.7A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 105nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4000pF @ 10V
功率-最大: 46W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: PowerPAK® SO-8 Dual
供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 Dual

庫存4,356

SI7236DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 20V 60A PPAK SO-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 60A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.2mOhm @ 20.7A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 105nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4000pF @ 10V
功率-最大: 46W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: PowerPAK® SO-8 Dual
供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 Dual

庫存29,232

SI7252DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 100V 36.7A PPAK 8SO

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 36.7A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 18mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 27nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1170pF @ 50V
功率-最大: 46W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: PowerPAK® SO-8 Dual
供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 Dual

請求報價

SI7270DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.8V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 21nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 900pF @ 15V
功率-最大: 17.8W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: PowerPAK® SO-8 Dual
供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 Dual

庫存6,786

SI7272DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.3mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 26nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1100pF @ 15V
功率-最大: 22W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: PowerPAK® SO-8 Dual
供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 Dual

庫存82,320

SI7288DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.8V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 565pF @ 20V
功率-最大: 15.6W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: PowerPAK® SO-8 Dual
供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 Dual

庫存40,292

SI7501DN-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 30V 5.4A 1212-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N and P-Channel, Common Drain
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.4A, 4.5A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 7.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: 1.6W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: PowerPAK® 1212-8 Dual
供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8 Dual

庫存8,694

SI7501DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 30V 5.4A 1212-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N and P-Channel, Common Drain
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.4A, 4.5A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 7.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: 1.6W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: PowerPAK® 1212-8 Dual
供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8 Dual

庫存7,884

SI7530DP-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 60V 3A PPAK SO-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A, 3.2A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 75mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: 1.4W, 1.5W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: PowerPAK® SO-8 Dual
供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 Dual

庫存3,400

SI7540ADP-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH POWERPAK8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N and P-Channel
FET功能: -
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A, 9A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 28mOhm @ 12A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 48nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1310pF @ 10V
功率-最大: 3.5W
工作溫度: -55°C ~ 150°C
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: PowerPAK® SO-8 Dual
供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 Dual

庫存3,960

SI7540DP-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 12V 7.6A PPAK SO-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.6A, 5.7A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17mOhm @ 11.8A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: 1.4W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: PowerPAK® SO-8 Dual
供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 Dual

庫存7,542

SI7540DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 12V 7.6A PPAK SO-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.6A, 5.7A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17mOhm @ 11.8A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: 1.4W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: PowerPAK® SO-8 Dual
供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 Dual

庫存8,784

SI7842DP-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 6.3A PPAK SO-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: LITTLE FOOT®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.3A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: 1.4W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: PowerPAK® SO-8 Dual
供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 Dual

庫存8,532

SI7842DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 6.3A PPAK SO-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: LITTLE FOOT®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.3A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: 1.4W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: PowerPAK® SO-8 Dual
供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 Dual

庫存5,868

SI7844DP-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.4A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 22mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: 1.4W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: PowerPAK® SO-8 Dual
供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 Dual

庫存8,406

SI7844DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.4A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 22mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: 1.4W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: PowerPAK® SO-8 Dual
供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 Dual

庫存2,826

SI7872DP-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: LITTLE FOOT®
FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.4A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: 1.4W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: PowerPAK® SO-8 Dual
供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 Dual

庫存4,518

SI7872DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: LITTLE FOOT®
FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.4A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: 1.4W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: PowerPAK® SO-8 Dual
供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 Dual

庫存8,748

SI7900AEDN-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 20V 6A 1212-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 26mOhm @ 8.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 900mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: 1.5W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: PowerPAK® 1212-8 Dual
供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8 Dual

庫存745,362

SI7900AEDN-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 26mOhm @ 8.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 900mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: 1.5W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: PowerPAK® 1212-8 Dual
供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8 Dual

庫存3,384

SI7901EDN-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 1212-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.3A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 48mOhm @ 6.3A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 800µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: 1.3W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: PowerPAK® 1212-8 Dual
供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8 Dual

庫存7,236

SI7901EDN-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 1212-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.3A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 48mOhm @ 6.3A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 800µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: 1.3W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: PowerPAK® 1212-8 Dual
供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8 Dual

庫存4,932

SI7904BDN-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 20V 6A 1212-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 30mOhm @ 7.1A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24nC @ 8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 860pF @ 10V
功率-最大: 17.8W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: PowerPAK® 1212-8 Dual
供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8 Dual

庫存3,582

SI7904BDN-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 30mOhm @ 7.1A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24nC @ 8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 860pF @ 10V
功率-最大: 17.8W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: PowerPAK® 1212-8 Dual
供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8 Dual

庫存4,608

SI7904DN-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 20V 5.3A 1212-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.3A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 30mOhm @ 7.7A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 935µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: 1.3W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: PowerPAK® 1212-8 Dual
供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8 Dual

庫存6,012

SI7904DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 20V 5.3A 1212-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.3A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 30mOhm @ 7.7A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 935µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: 1.3W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: PowerPAK® 1212-8 Dual
供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8 Dual

庫存2,250

SI7905DN-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 40V 6A 1212-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 60mOhm @ 5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 880pF @ 20V
功率-最大: 20.8W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: PowerPAK® 1212-8 Dual
供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8 Dual

庫存5,238

SI7905DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 40V 6A PPAK 1212-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 60mOhm @ 5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 880pF @ 20V
功率-最大: 20.8W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: PowerPAK® 1212-8 Dual
供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8 Dual

庫存6,949

SI7909DN-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 12V 5.3A 1212-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.3A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 37mOhm @ 7.7A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 700µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: 1.3W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: PowerPAK® 1212-8 Dual
供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8 Dual

庫存5,688

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