晶體管

型號	描述	庫存
UT6MA2TCR Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-陣列 UT6MA2 IS SMALL SURFACE MOUNT PA 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N and P-Channel FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Ta) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 46mOhm @ 4A, 10V, 70mOhm @ 4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.3nC, 6.7nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 180pF, 305pF @ 15V 功率-最大: 2W (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerUDFN 供應商設備包裝: HUML2020L8	庫存7,848
UT6MA3TCR Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-陣列 20V NCH+PCH MIDDLE POWER MOSFET 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N and P-Channel FET功能: - 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A, 5.5A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 59mOhm @ 5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.5nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 460pF @ 10V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-PowerUDFN 供應商設備包裝: HUML2020L8	庫存55,044
VBH40-05B IXYS	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 4N-CH 500V 40A V2 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ FET類型: 4 N-Channel (H-Bridge) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 116mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 8mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 270nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: - 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: V2-PAK 供應商設備包裝: V2-PAK	庫存3,222
VEC2315-TL-H ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2P-CH 60V 2.5A VEC8 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.5A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 137mOhm @ 1.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 420pF @ 20V 功率-最大: 1W 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead 供應商設備包裝: 8-VEC	庫存4,158
VEC2315-TL-W ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2P-CH 60V 2.5A VEC8 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate, 4V Drive 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.5A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 137mOhm @ 1.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.6V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 420pF @ 20V 功率-最大: 1W 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead 供應商設備包裝: SOT-28FL/VEC8	庫存4,014
VEC2415-TL-E ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 60V 3A VEC8 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 80mOhm @ 1.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.6V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 505pF @ 20V 功率-最大: 1W 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead 供應商設備包裝: SOT-28FL/VEC8	庫存21,949
VEC2415-TL-W ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 60V 3A VEC8 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate, 4V Drive 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 80mOhm @ 1.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.6V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 505pF @ 20V 功率-最大: 1W 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead 供應商設備包裝: SOT-28FL/VEC8	庫存7,362
VEC2415-TL-W-Z ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET NCH+NCH 4V DRIVE SERIES 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Ta) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 80mOhm @ 1.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.6V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 505pF @ 20V 功率-最大: - 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead 供應商設備包裝: SOT-28FL/ECH8	庫存3,024
VEC2616-TL-H ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 60V 3A/2.5A VEC8 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N and P-Channel FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A, 2.5A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 80mOhm @ 1.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.6V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 505pF @ 20V 功率-最大: 1W 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead 供應商設備包裝: SOT-28FL/VEC8	庫存6,048
VEC2616-TL-H-Z ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 60V 3A/2.5A VEC8 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N and P-Channel FET功能: Logic Level Gate, 4V Drive 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A, 2.5A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 80mOhm @ 1.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 505pF @ 20V 功率-最大: 1W 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead 供應商設備包裝: SOT-28FL/VEC8	庫存6,624
VEC2616-TL-H-Z-W ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-陣列 PCH+NCH 4V DRIVE SERIES 制造商: ON Semiconductor 系列: * FET類型: - FET功能: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存2,844
VEC2616-TL-W ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 60V 3A/2.5A VEC8 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N and P-Channel FET功能: Logic Level Gate, 4V Drive 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A, 2.5A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 80mOhm @ 1.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.6V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 505pF @ 20V 功率-最大: 1W 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead 供應商設備包裝: SOT-28FL/VEC8	庫存43,326
VEC2616-TL-W-Z ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 60V 3A/2.5A VEC8 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N and P-Channel FET功能: Logic Level Gate, 4V Drive 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A, 2.5A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 80mOhm @ 1.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.6V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 505pF @ 20V 功率-最大: 1W 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead 供應商設備包裝: SOT-28FL/VEC8	庫存2,484
VHM40-06P1 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 600V 38A ECO-PAC2 制造商: IXYS 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 38A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 70mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 3mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 220nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: - 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: ECO-PAC2 供應商設備包裝: ECO-PAC2	庫存5,436
VKM40-06P1 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 4N-CH 600V 38A ECO-PAC2 制造商: IXYS 系列: - FET類型: 4 N-Channel (H-Bridge) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 38A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 70mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 3mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 220nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: - 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: ECO-PAC2 供應商設備包裝: ECO-PAC2	庫存8,748
VKM60-01P1 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 4N-CH 100V 75A ECO-PAC2 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ FET類型: 4 N-Channel (H-Bridge) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 75A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 4mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 260nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4500pF @ 25V 功率-最大: 300W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: ECO-PAC2 供應商設備包裝: ECO-PAC2	庫存5,940
VMK165-007T IXYS	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 70V 165A TO-240AA 制造商: IXYS 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 70V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 165A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7mOhm @ 82.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 8mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 480nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8800pF @ 25V 功率-最大: 390W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: TO-240AA 供應商設備包裝: TO-240AA	庫存6,912
VMK90-02T2 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 200V 83A TO-240AA 制造商: IXYS 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 83A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 3mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 450nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 15000pF @ 25V 功率-最大: 380W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: TO-240AA 供應商設備包裝: TO-240AA	庫存2,232
VMM1000-01P IXYS	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 100V 1000A Y3-LI 制造商: IXYS 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1000A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.2Ohm @ 800A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 10mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2355nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: - 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: Y3-Li 供應商設備包裝: Y3-Li	庫存6,552
VMM1500-0075P IXYS	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 75V 1500A Y3-LI 制造商: IXYS 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 75V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1500A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 0.8mOhm @ 1200A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 10mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2480nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: - 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: Y3-Li 供應商設備包裝: Y3-Li	庫存6,300
VMM300-03F IXYS	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 300V 290A Y3-DCB 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 300V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 290A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.6mOhm @ 145A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 30mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1440nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 40000pF @ 25V 功率-最大: 1500W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: Y3-DCB 供應商設備包裝: Y3-DCB	庫存5,814
VMM45-02F IXYS	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 200V 45A TO-240AA 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 45A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45mOhm @ 22.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 4mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 225nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7500pF @ 25V 功率-最大: 190W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: TO-240AA 供應商設備包裝: TO-240AA	庫存5,940
VMM650-01F IXYS	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 100V 680A Y3-LI 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 680A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.2mOhm @ 500A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 30mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1440nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: - 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: Y3-Li 供應商設備包裝: Y3-Li	庫存140
VMM85-02F IXYS	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 200V 84A Y4 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 84A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 8mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 450nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 15000pF @ 25V 功率-最大: 370W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: Y4-M6 供應商設備包裝: Y4-M6	庫存7,704
VMM90-09F IXYS	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 900V 85A Y3-LI 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 900V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 85A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 76mOhm @ 65A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 30mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 960nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: - 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: Y3-Li 供應商設備包裝: Y3-Li	庫存7,668
VMM90-09P IXYS	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 900V 85A Y3-LI 制造商: IXYS 系列: * FET類型: - FET功能: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存4,266
VQ1001P Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: 4 N-Channel FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 830mA Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.75Ohm @ 200mA, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 110pF @ 15V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: - 供應商設備包裝: 14-DIP	庫存24
VQ1001P-2 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: 4 N-Channel FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 830mA Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.75Ohm @ 200mA, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 110pF @ 15V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: - 供應商設備包裝: 14-DIP	庫存5,994
VQ1001P-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: 4 N-Channel FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 830mA Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.75Ohm @ 200mA, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 110pF @ 15V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: - 供應商設備包裝: 14-DIP	庫存3,580
VQ1006P Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 4N-CH 90V 0.4A 14DIP 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: 4 N-Channel FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 90V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 400mA Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.5Ohm @ 1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 60pF @ 25V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: - 供應商設備包裝: 14-DIP	庫存7,884

UT6MA2TCR

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-陣列

UT6MA2 IS SMALL SURFACE MOUNT PA

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Ta)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 46mOhm @ 4A, 10V, 70mOhm @ 4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.3nC, 6.7nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 180pF, 305pF @ 15V
功率-最大: 2W (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerUDFN
供應商設備包裝: HUML2020L8

庫存7,848

UT6MA3TCR

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-陣列

20V NCH+PCH MIDDLE POWER MOSFET

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N and P-Channel
FET功能: -
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A, 5.5A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 59mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.5nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 460pF @ 10V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-PowerUDFN
供應商設備包裝: HUML2020L8

庫存55,044

VBH40-05B

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 4N-CH 500V 40A V2

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™
FET類型: 4 N-Channel (H-Bridge)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 116mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 8mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 270nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: -
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: V2-PAK
供應商設備包裝: V2-PAK

庫存3,222

VEC2315-TL-H

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 60V 2.5A VEC8

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.5A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 137mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 420pF @ 20V
功率-最大: 1W
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead
供應商設備包裝: 8-VEC

庫存4,158

VEC2315-TL-W

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 60V 2.5A VEC8

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate, 4V Drive
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.5A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 137mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.6V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 420pF @ 20V
功率-最大: 1W
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead
供應商設備包裝: SOT-28FL/VEC8

庫存4,014

VEC2415-TL-E

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 60V 3A VEC8

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 80mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.6V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 505pF @ 20V
功率-最大: 1W
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead
供應商設備包裝: SOT-28FL/VEC8

庫存21,949

VEC2415-TL-W

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 60V 3A VEC8

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate, 4V Drive
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 80mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.6V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 505pF @ 20V
功率-最大: 1W
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead
供應商設備包裝: SOT-28FL/VEC8

庫存7,362

VEC2415-TL-W-Z

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET NCH+NCH 4V DRIVE SERIES

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Ta)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 80mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.6V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 505pF @ 20V
功率-最大: -
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead
供應商設備包裝: SOT-28FL/ECH8

庫存3,024

VEC2616-TL-H

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 60V 3A/2.5A VEC8

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A, 2.5A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 80mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.6V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 505pF @ 20V
功率-最大: 1W
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead
供應商設備包裝: SOT-28FL/VEC8

庫存6,048

VEC2616-TL-H-Z

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 60V 3A/2.5A VEC8

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Logic Level Gate, 4V Drive
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A, 2.5A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 80mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 505pF @ 20V
功率-最大: 1W
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead
供應商設備包裝: SOT-28FL/VEC8

庫存6,624

VEC2616-TL-H-Z-W

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-陣列

PCH+NCH 4V DRIVE SERIES

制造商: ON Semiconductor
系列: *
FET類型: -
FET功能: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存2,844

VEC2616-TL-W

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 60V 3A/2.5A VEC8

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Logic Level Gate, 4V Drive
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A, 2.5A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 80mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.6V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 505pF @ 20V
功率-最大: 1W
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead
供應商設備包裝: SOT-28FL/VEC8

庫存43,326

VEC2616-TL-W-Z

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 60V 3A/2.5A VEC8

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Logic Level Gate, 4V Drive
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A, 2.5A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 80mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.6V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 505pF @ 20V
功率-最大: 1W
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead
供應商設備包裝: SOT-28FL/VEC8

庫存2,484

VHM40-06P1

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 600V 38A ECO-PAC2

制造商: IXYS
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 38A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 70mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 3mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 220nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: -
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: ECO-PAC2
供應商設備包裝: ECO-PAC2

庫存5,436

VKM40-06P1

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 4N-CH 600V 38A ECO-PAC2

制造商: IXYS
系列: -
FET類型: 4 N-Channel (H-Bridge)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 38A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 70mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 3mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 220nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: -
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: ECO-PAC2
供應商設備包裝: ECO-PAC2

庫存8,748

VKM60-01P1

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 4N-CH 100V 75A ECO-PAC2

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™
FET類型: 4 N-Channel (H-Bridge)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 75A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 4mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 260nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4500pF @ 25V
功率-最大: 300W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: ECO-PAC2
供應商設備包裝: ECO-PAC2

庫存5,940

VMK165-007T

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 70V 165A TO-240AA

制造商: IXYS
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 70V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 165A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7mOhm @ 82.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 8mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 480nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8800pF @ 25V
功率-最大: 390W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: TO-240AA
供應商設備包裝: TO-240AA

庫存6,912

VMK90-02T2

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 200V 83A TO-240AA

制造商: IXYS
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 83A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 3mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 450nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 15000pF @ 25V
功率-最大: 380W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: TO-240AA
供應商設備包裝: TO-240AA

庫存2,232

VMM1000-01P

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 100V 1000A Y3-LI

制造商: IXYS
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1000A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.2Ohm @ 800A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 10mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2355nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: -
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: Y3-Li
供應商設備包裝: Y3-Li

庫存6,552

VMM1500-0075P

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 75V 1500A Y3-LI

制造商: IXYS
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 75V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1500A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 0.8mOhm @ 1200A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 10mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2480nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: -
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: Y3-Li
供應商設備包裝: Y3-Li

庫存6,300

VMM300-03F

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 300V 290A Y3-DCB

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 300V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 290A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.6mOhm @ 145A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 30mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1440nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 40000pF @ 25V
功率-最大: 1500W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: Y3-DCB
供應商設備包裝: Y3-DCB

庫存5,814

VMM45-02F

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 200V 45A TO-240AA

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 45A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45mOhm @ 22.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 4mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 225nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7500pF @ 25V
功率-最大: 190W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: TO-240AA
供應商設備包裝: TO-240AA

庫存5,940

VMM650-01F

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 100V 680A Y3-LI

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 680A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.2mOhm @ 500A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 30mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1440nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: -
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: Y3-Li
供應商設備包裝: Y3-Li

庫存140

VMM85-02F

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 200V 84A Y4

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 84A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 8mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 450nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 15000pF @ 25V
功率-最大: 370W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: Y4-M6
供應商設備包裝: Y4-M6

庫存7,704

VMM90-09F

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 900V 85A Y3-LI

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 900V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 85A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 76mOhm @ 65A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 30mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 960nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: -
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: Y3-Li
供應商設備包裝: Y3-Li

庫存7,668

VMM90-09P

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 900V 85A Y3-LI

制造商: IXYS
系列: *
FET類型: -
FET功能: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存4,266

VQ1001P

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: 4 N-Channel
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 830mA
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.75Ohm @ 200mA, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 110pF @ 15V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: -
供應商設備包裝: 14-DIP

庫存24

VQ1001P-2

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: 4 N-Channel
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 830mA
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.75Ohm @ 200mA, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 110pF @ 15V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: -
供應商設備包裝: 14-DIP

庫存5,994

VQ1001P-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: 4 N-Channel
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 830mA
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.75Ohm @ 200mA, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 110pF @ 15V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: -
供應商設備包裝: 14-DIP

庫存3,580

VQ1006P

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 4N-CH 90V 0.4A 14DIP

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: 4 N-Channel
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 90V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 400mA
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.5Ohm @ 1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 60pF @ 25V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: -
供應商設備包裝: 14-DIP

庫存7,884

Send Message

Certifications

資源

支持

Social Media

Need Help?
Send Message