晶體管

型號	描述	庫存
VQ1006P-2 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 4N-CH 90V 0.4A 14DIP 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: 4 N-Channel FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 90V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 400mA Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.5Ohm @ 1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 60pF @ 25V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: - 供應商設備包裝: 14-DIP	庫存5,508
VQ1006P-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 4N-CH 90V 0.4A 14DIP 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: 4 N-Channel FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 90V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 400mA Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.5Ohm @ 1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 60pF @ 25V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: - 供應商設備包裝: 14-DIP	庫存6,768
VQ2001P Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 4P-CH 30V 0.6A 14DIP 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: 4 P-Channel FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 600mA Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2Ohm @ 1A, 12V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 150pF @ 15V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存5,760
VQ2001P-2 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 4P-CH 30V 0.6A 14DIP 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: 4 P-Channel FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 600mA Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2Ohm @ 1A, 12V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 150pF @ 15V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: 14-DIP 供應商設備包裝: 14-DIP	庫存5,634
VQ3001P-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N/2P-CH 30V 14DIP 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: 2 N and 2 P-Channel FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 850mA, 600mA Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1Ohm @ 1A, 12V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 110pF @ 15V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存5,940
VT6J1T2CR Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2P-CH 20V 0.1A VMT6 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate, 1.2V Drive 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 15pF @ 10V 功率-最大: 120mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-SMD, Flat Leads 供應商設備包裝: VMT6	庫存63,990
VT6K1T2CR Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 20V 0.1A VMT6 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate, 1.2V Drive 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.5Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7.1pF @ 10V 功率-最大: 120mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-SMD, Flat Leads 供應商設備包裝: VMT6	庫存3,330
VT6M1T2CR Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 20V 0.1A VMT6 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N and P-Channel FET功能: Logic Level Gate, 1.2V Drive 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.5Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7.1pF @ 10V 功率-最大: 120mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-SMD, Flat Leads 供應商設備包裝: VMT6	庫存148,140
VWM200-01P IXYS	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 6N-CH 100V 210A V2 制造商: IXYS 系列: - FET類型: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 210A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.2mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 2mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 430nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: - 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: V2-PAK 供應商設備包裝: V2-PAK	庫存2,664
VWM270-0075X2 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 6N-CH 75V 270A V2-PAK 制造商: IXYS 系列: - FET類型: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 75V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 270A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.1mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 500µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 360nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: - 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: V2-PAK 供應商設備包裝: V2-PAK	庫存7,038
VWM350-0075P IXYS	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 6N-CH 75V 340A V2 制造商: IXYS 系列: - FET類型: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 75V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 340A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.3mOhm @ 250A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 2mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 450nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: - 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: V2-PAK 供應商設備包裝: V2-PAK	庫存5,076
XN0187200L Panasonic Electronic Components	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 50V 0.1A MINI-5 制造商: Panasonic Electronic Components 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 50V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50Ohm @ 20mA, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 15pF @ 5V 功率-最大: 300mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-74A, SOT-753 供應商設備包裝: Mini5-G1	庫存7,704
XP0187800L Panasonic Electronic Components	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 50V .1A S MINI-5P 制造商: Panasonic Electronic Components 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 50V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 1µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12pF @ 3V 功率-最大: 150mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 供應商設備包裝: SMini5-G1	庫存6,588
XP0487800L Panasonic Electronic Components	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 50V 0.1A S-MINI-6P 制造商: Panasonic Electronic Components 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 50V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 1µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12pF @ 3V 功率-最大: 150mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: SMINI6-G1	庫存6,534
ZDM4206NTA Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 60V 1A SOT-223-8 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 100pF @ 25V 功率-最大: 2.75W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-223-8 供應商設備包裝: SOT-223	庫存3,870
ZDM4206NTC Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 60V 1A SOT-223-8 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 100pF @ 25V 功率-最大: 2.75W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-223-8 供應商設備包裝: SOT-223	庫存6,426
ZDM4306NTA Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 60V 2A SOT-223-8 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 330mOhm @ 3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 350pF @ 25V 功率-最大: 3W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-223-8 供應商設備包裝: SM8	庫存6,534
ZDM4306NTC Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 60V 2A SOT-223-8 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 330mOhm @ 3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 350pF @ 25V 功率-最大: 3W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-223-8 供應商設備包裝: SOT-223	庫存4,158
ZVN4206NTA Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 60V SOT-223-8 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: - 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-223-8 供應商設備包裝: SOT-223	庫存6,894
ZVN4206NTC Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 60V SOT-223-8 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: - 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-223-8 供應商設備包裝: SOT-223	庫存3,490
ZXMC10A816N8TC Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-SOIC 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N and P-Channel FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 230mOhm @ 1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.2nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 497pF @ 50V 功率-最大: 1.8W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SOP	庫存24,648
ZXMC3A16DN8TA Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N and P-Channel FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.9A, 4.1A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA (Min) 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17.5nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 796pF @ 25V 功率-最大: 1.25W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存19,596
ZXMC3A16DN8TC Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N and P-Channel FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.9A, 4.1A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA (Min) 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17.5nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 796pF @ 25V 功率-最大: 1.25W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存4,140
ZXMC3A17DN8TA Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N and P-Channel FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.1A, 3.4A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 7.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA (Min) 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12.2nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 600pF @ 25V 功率-最大: 1.25W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存26,952
ZXMC3A17DN8TC Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N and P-Channel FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.1A, 3.4A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 7.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA (Min) 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12.2nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 600pF @ 25V 功率-最大: 1.25W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存6,318
ZXMC3A18DN8TA Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N and P-Channel FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.8A, 4.8A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 5.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA (Min) 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 36nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1800pF @ 25V 功率-最大: 1.8W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SOP	庫存7,506
ZXMC3AM832TA Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8MLP 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N and P-Channel FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.9A, 2.1A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA (Min) 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.9nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 190pF @ 25V 功率-最大: 1.7W 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-VDFN Exposed Pad 供應商設備包裝: 8-MLP (3x3)	庫存12,936
ZXMC3AMCTA Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8DFN 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N and P-Channel FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.9A, 2.1A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.9nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 190pF @ 25V 功率-最大: 1.7W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-WDFN Exposed Pad 供應商設備包裝: 8-DFN (3x2)	庫存1,780
ZXMC3F31DN8TA Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.9A 8SO 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N and P-Channel FET功能: Logic Level Gate, 4.5V Drive 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.8A, 4.9A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12.9nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 608pF @ 15V 功率-最大: 1.8W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存16,632
ZXMC4559DN8TA Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 60V 8SOIC 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N and P-Channel FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.6A, 2.6A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA (Min) 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20.4nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1063pF @ 30V 功率-最大: 1.25W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存17,100

VQ1006P-2

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 4N-CH 90V 0.4A 14DIP

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: 4 N-Channel
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 90V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 400mA
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.5Ohm @ 1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 60pF @ 25V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: -
供應商設備包裝: 14-DIP

庫存5,508

VQ1006P-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 4N-CH 90V 0.4A 14DIP

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: 4 N-Channel
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 90V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 400mA
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.5Ohm @ 1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 60pF @ 25V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: -
供應商設備包裝: 14-DIP

庫存6,768

VQ2001P

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 4P-CH 30V 0.6A 14DIP

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: 4 P-Channel
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 600mA
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2Ohm @ 1A, 12V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 150pF @ 15V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存5,760

VQ2001P-2

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 4P-CH 30V 0.6A 14DIP

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: 4 P-Channel
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 600mA
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2Ohm @ 1A, 12V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 150pF @ 15V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: 14-DIP
供應商設備包裝: 14-DIP

庫存5,634

VQ3001P-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N/2P-CH 30V 14DIP

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: 2 N and 2 P-Channel
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 850mA, 600mA
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1Ohm @ 1A, 12V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 110pF @ 15V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存5,940

VT6J1T2CR

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 20V 0.1A VMT6

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate, 1.2V Drive
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 15pF @ 10V
功率-最大: 120mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-SMD, Flat Leads
供應商設備包裝: VMT6

庫存63,990

VT6K1T2CR

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 20V 0.1A VMT6

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate, 1.2V Drive
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.5Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7.1pF @ 10V
功率-最大: 120mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-SMD, Flat Leads
供應商設備包裝: VMT6

庫存3,330

VT6M1T2CR

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 20V 0.1A VMT6

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Logic Level Gate, 1.2V Drive
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.5Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7.1pF @ 10V
功率-最大: 120mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-SMD, Flat Leads
供應商設備包裝: VMT6

庫存148,140

VWM200-01P

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 6N-CH 100V 210A V2

制造商: IXYS
系列: -
FET類型: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 210A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.2mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 2mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 430nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: -
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: V2-PAK
供應商設備包裝: V2-PAK

庫存2,664

VWM270-0075X2

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 6N-CH 75V 270A V2-PAK

制造商: IXYS
系列: -
FET類型: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 75V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 270A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.1mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 500µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 360nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: -
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: V2-PAK
供應商設備包裝: V2-PAK

庫存7,038

VWM350-0075P

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 6N-CH 75V 340A V2

制造商: IXYS
系列: -
FET類型: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 75V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 340A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.3mOhm @ 250A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 2mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 450nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: -
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: V2-PAK
供應商設備包裝: V2-PAK

庫存5,076

XN0187200L

Panasonic Electronic Components

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 50V 0.1A MINI-5

制造商: Panasonic Electronic Components
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 50V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50Ohm @ 20mA, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 15pF @ 5V
功率-最大: 300mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-74A, SOT-753
供應商設備包裝: Mini5-G1

庫存7,704

XP0187800L

Panasonic Electronic Components

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 50V .1A S MINI-5P

制造商: Panasonic Electronic Components
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 50V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 1µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12pF @ 3V
功率-最大: 150mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
供應商設備包裝: SMini5-G1

庫存6,588

XP0487800L

Panasonic Electronic Components

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 50V 0.1A S-MINI-6P

制造商: Panasonic Electronic Components
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 50V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 1µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12pF @ 3V
功率-最大: 150mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: SMINI6-G1

庫存6,534

ZDM4206NTA

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 60V 1A SOT-223-8

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 100pF @ 25V
功率-最大: 2.75W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-223-8
供應商設備包裝: SOT-223

庫存3,870

ZDM4206NTC

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 60V 1A SOT-223-8

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 100pF @ 25V
功率-最大: 2.75W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-223-8
供應商設備包裝: SOT-223

庫存6,426

ZDM4306NTA

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 60V 2A SOT-223-8

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 330mOhm @ 3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 350pF @ 25V
功率-最大: 3W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-223-8
供應商設備包裝: SM8

庫存6,534

ZDM4306NTC

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 60V 2A SOT-223-8

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 330mOhm @ 3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 350pF @ 25V
功率-最大: 3W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-223-8
供應商設備包裝: SOT-223

庫存4,158

ZVN4206NTA

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 60V SOT-223-8

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: -
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-223-8
供應商設備包裝: SOT-223

庫存6,894

ZVN4206NTC

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 60V SOT-223-8

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: -
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-223-8
供應商設備包裝: SOT-223

庫存3,490

ZXMC10A816N8TC

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-SOIC

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 230mOhm @ 1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.2nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 497pF @ 50V
功率-最大: 1.8W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SOP

庫存24,648

ZXMC3A16DN8TA

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.9A, 4.1A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA (Min)
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17.5nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 796pF @ 25V
功率-最大: 1.25W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存19,596

ZXMC3A16DN8TC

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.9A, 4.1A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA (Min)
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17.5nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 796pF @ 25V
功率-最大: 1.25W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存4,140

ZXMC3A17DN8TA

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.1A, 3.4A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA (Min)
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12.2nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 600pF @ 25V
功率-最大: 1.25W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存26,952

ZXMC3A17DN8TC

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.1A, 3.4A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA (Min)
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12.2nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 600pF @ 25V
功率-最大: 1.25W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存6,318

ZXMC3A18DN8TA

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.8A, 4.8A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA (Min)
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 36nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1800pF @ 25V
功率-最大: 1.8W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SOP

庫存7,506

ZXMC3AM832TA

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8MLP

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.9A, 2.1A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA (Min)
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.9nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 190pF @ 25V
功率-最大: 1.7W
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-VDFN Exposed Pad
供應商設備包裝: 8-MLP (3x3)

庫存12,936

ZXMC3AMCTA

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8DFN

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.9A, 2.1A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.9nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 190pF @ 25V
功率-最大: 1.7W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-WDFN Exposed Pad
供應商設備包裝: 8-DFN (3x2)

庫存1,780

ZXMC3F31DN8TA

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.9A 8SO

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Logic Level Gate, 4.5V Drive
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.8A, 4.9A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12.9nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 608pF @ 15V
功率-最大: 1.8W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存16,632

ZXMC4559DN8TA

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 60V 8SOIC

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.6A, 2.6A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA (Min)
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20.4nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1063pF @ 30V
功率-最大: 1.25W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存17,100

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