晶體管

型號	描述	庫存
RN1703,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 NPNX2 BRT Q1BSR22KOHM Q1BER22KOH 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 電阻-基本（R1）: - 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 頻率-過渡: - 功率-最大: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存4,356
RN1704JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 47kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 100mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-553 供應商設備包裝: ESV	庫存29,322
RN1704,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 NPNX2 BRT Q1BSR47KOHM Q1BER47KOH 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 電阻-基本（R1）: - 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 頻率-過渡: - 功率-最大: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存2,214
RN1705JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 2.2kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 100mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-553 供應商設備包裝: ESV	庫存34,392
RN1705,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 NPNX2 BRT Q1BSR2.2KOHM Q1BER47KO 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 電阻-基本（R1）: - 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 頻率-過渡: - 功率-最大: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存6,390
RN1706JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 100mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-553 供應商設備包裝: ESV	庫存7,668
RN1706,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 NPNX2 BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER47KO 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 電阻-基本（R1）: - 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 頻率-過渡: - 功率-最大: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存2,502
RN1707,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 NPNX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BER47KOH 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 電阻-基本（R1）: - 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 頻率-過渡: - 功率-最大: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存3,384
RN1708,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 NPNX2 BRT Q1BSR22KOHM Q1BER47KOH 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 電阻-基本（R1）: - 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 頻率-過渡: - 功率-最大: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存7,290
RN1709,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 NPNX2 BRT Q1BSR47KOHM Q1BER22KOH 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 電阻-基本（R1）: - 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 頻率-過渡: - 功率-最大: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存8,082
RN1710,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 NPNX2 BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BERINF. 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 電阻-基本（R1）: - 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 頻率-過渡: - 功率-最大: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存5,436
RN1711JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANSISTOR NPN X2 BRT Q1BSR10KOH 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 電阻-基本（R1）: - 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 頻率-過渡: - 功率-最大: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存3,490
RN1711,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 NPNX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BERINF.K 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 電阻-基本（R1）: - 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 頻率-過渡: - 功率-最大: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存2,178
RN1901FETE85LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7kOhms 電阻-發射極基（R2）: 4.7kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 100mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: ES6	庫存30,600
RN1901,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7kOhms 電阻-發射極基（R2）: 1kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: US6	庫存8,514
RN1902FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 10kOhms 電阻-發射極基（R2）: 1kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 100mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: ES6	庫存32,184
RN1902,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 10kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: US6	庫存4,680
RN1902T5LFT Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 10kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: US6	庫存2,844
RN1903FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 NPNX2 BRT Q1BSR22KOHM Q1BER22KOH 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 電阻-基本（R1）: - 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 頻率-過渡: - 功率-最大: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存3,888
RN1903,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 22kOhms 電阻-發射極基（R2）: 22kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: US6	庫存2,844
RN1904FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 47kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 100mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: ES6	庫存28,506
RN1904,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 47kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: US6	庫存4,050
RN1905FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 2.2kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 100mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: ES6	庫存6,372
RN1905,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 2.2kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: US6	庫存6,966
RN1905,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 2.2kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: US6	庫存5,310
RN1905(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 2.2kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: US6	庫存2,484
RN1906FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 100mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: ES6	庫存6,282
RN1906FE(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 100mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: ES6	庫存7,110
RN1906,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: US6	庫存5,454
RN1906,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: US6	庫存4,032

RN1703,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

NPNX2 BRT Q1BSR22KOHM Q1BER22KOH

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
電阻-基本（R1）: -
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
頻率-過渡: -
功率-最大: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存4,356

RN1704JE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 47kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 100mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-553
供應商設備包裝: ESV

庫存29,322

RN1704,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

NPNX2 BRT Q1BSR47KOHM Q1BER47KOH

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
電阻-基本（R1）: -
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
頻率-過渡: -
功率-最大: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存2,214

RN1705JE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 2.2kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 100mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-553
供應商設備包裝: ESV

庫存34,392

RN1705,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

NPNX2 BRT Q1BSR2.2KOHM Q1BER47KO

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
電阻-基本（R1）: -
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
頻率-過渡: -
功率-最大: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存6,390

RN1706JE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 100mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-553
供應商設備包裝: ESV

庫存7,668

RN1706,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

NPNX2 BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER47KO

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
電阻-基本（R1）: -
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
頻率-過渡: -
功率-最大: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存2,502

RN1707,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

NPNX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BER47KOH

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
電阻-基本（R1）: -
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
頻率-過渡: -
功率-最大: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存3,384

RN1708,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

NPNX2 BRT Q1BSR22KOHM Q1BER47KOH

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
電阻-基本（R1）: -
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
頻率-過渡: -
功率-最大: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存7,290

RN1709,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

NPNX2 BRT Q1BSR47KOHM Q1BER22KOH

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
電阻-基本（R1）: -
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
頻率-過渡: -
功率-最大: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存8,082

RN1710,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

NPNX2 BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BERINF.

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
電阻-基本（R1）: -
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
頻率-過渡: -
功率-最大: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存5,436

RN1711JE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANSISTOR NPN X2 BRT Q1BSR10KOH

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
電阻-基本（R1）: -
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
頻率-過渡: -
功率-最大: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存3,490

RN1711,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

NPNX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BERINF.K

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
電阻-基本（R1）: -
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
頻率-過渡: -
功率-最大: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存2,178

RN1901FETE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7kOhms
電阻-發射極基（R2）: 4.7kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 100mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: ES6

庫存30,600

RN1901,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7kOhms
電阻-發射極基（R2）: 1kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: US6

庫存8,514

RN1902FE,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 10kOhms
電阻-發射極基（R2）: 1kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 100mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: ES6

庫存32,184

RN1902,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 10kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: US6

庫存4,680

RN1902T5LFT

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 10kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: US6

庫存2,844

RN1903FE,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

NPNX2 BRT Q1BSR22KOHM Q1BER22KOH

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
電阻-基本（R1）: -
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
頻率-過渡: -
功率-最大: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存3,888

RN1903,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 22kOhms
電阻-發射極基（R2）: 22kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: US6

庫存2,844

RN1904FE,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 47kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 100mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: ES6

庫存28,506

RN1904,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 47kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: US6

庫存4,050

RN1905FE,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 2.2kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 100mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: ES6

庫存6,372

RN1905,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 2.2kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: US6

庫存6,966

RN1905,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 2.2kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: US6

庫存5,310

RN1905(T5L,F,T)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 2.2kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: US6

庫存2,484

RN1906FE,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 100mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: ES6

庫存6,282

RN1906FE(T5L,F,T)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 100mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: ES6

庫存7,110

RN1906,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: US6

庫存5,454

RN1906,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: US6

庫存4,032

Send Message

Certifications

資源

支持

Social Media

Need Help?
Send Message