晶體管

型號	描述	庫存
2SK2962,F(J Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-92MOD 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Long Body	庫存7,650
2SK2962(T6CANO,A,F Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-92MOD 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Long Body	庫存4,950
2SK2962(T6CANO,F,M Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-92MOD 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Long Body	庫存3,096
2SK2962,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-92MOD 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Long Body	庫存6,660
2SK2962,T6F(M Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-92MOD 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Long Body	庫存5,670
2SK2962,T6WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-92MOD 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Long Body	庫存6,948
2SK2962,T6WNLF(M Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-92MOD 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Long Body	庫存5,778
2SK2962(TE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-92MOD 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Long Body	庫存2,412
2SK2963(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 1A PW-MINI 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 700mOhm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.3nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 140pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PW-MINI 包裝/箱: TO-243AA	庫存6,840
2SK2967(F) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 250V 30A TO-3PN 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 68mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 132nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5400pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 150W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-3P(N) 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3	庫存7,344
2SK2989,F(J Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-92MOD 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Long Body	庫存4,986
2SK2989(T6CANO,A,F Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-92MOD 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Long Body	庫存2,862
2SK2989(T6CANO,F,M Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-92MOD 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Long Body	庫存5,688
2SK2989,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-92MOD 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Long Body	庫存5,076
2SK2989(TPE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-92MOD 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Long Body	庫存8,838
2SK2993(TE24L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 250V 20A TO220SM 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 100nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4000pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 100W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-220SM 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存6,246
2SK2995(F) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 250V 30A TO-3PN 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 68mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 132nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5400pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 90W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-3P(N)IS 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3	庫存2,268
2SK3003 Sanken	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V TO-220F 制造商: Sanken 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 175mOhm @ 9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 850pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 35W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220F 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存2,214
2SK3004 Sanken	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 250V TO-220F 制造商: Sanken 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 250mOhm @ 9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 850pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 35W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220F 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存8,172
2SK3018T106 Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V .1A SOT-323 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13pF @ 5V FET功能: - 功耗（最大值）: 200mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: UMT3 包裝/箱: SC-70, SOT-323	庫存361,494
2SK3018-TP Micro Commercial Co	晶體管-FET，MOSFET-單 N-CHANNEL MOSFET, SOT-323 PACKAG 制造商: Micro Commercial Co 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13pF @ 5V FET功能: - 功耗（最大值）: 200mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-323 包裝/箱: SC-70, SOT-323	庫存5,220
2SK3019TL Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V .1A SOT416 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13pF @ 5V FET功能: - 功耗（最大值）: 150mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: EMT3 包裝/箱: SC-75, SOT-416	庫存1,817,574
2SK3019-TP Micro Commercial Co	晶體管-FET，MOSFET-單 N-CHANNEL MOSFET, SOT-523 PACKAG 制造商: Micro Commercial Co 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13pF @ 5V FET功能: - 功耗（最大值）: 150mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-523 包裝/箱: SOT-523	庫存6,030
2SK302200L Panasonic Electronic Components	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 5A UG-2 制造商: Panasonic Electronic Components 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 220pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 1W (Ta), 10W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: U-G2 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存3,762
2SK302500L Panasonic Electronic Components	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 30A UG-2 制造商: Panasonic Electronic Components 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 40mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1200pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 1W (Ta), 25W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: U-DL 包裝/箱: TO-252-4, DPak (3 Leads + Tab)	庫存22,374
2SK303000L Panasonic Electronic Components	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 8A UG-1 制造商: Panasonic Electronic Components 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 230mOhm @ 4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 290pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 1W (Ta), 15W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: U-G1 包裝/箱: U-G1	庫存28,248
2SK303100L Panasonic Electronic Components	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 15A UG-1 制造商: Panasonic Electronic Components 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 135mOhm @ 8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 300pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 1W (Ta), 20W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: U-G1 包裝/箱: U-G1	庫存25,002
2SK3043 Panasonic Electronic Components	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 450V 5A TO-220D 制造商: Panasonic Electronic Components 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 450V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.3Ohm @ 3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 700pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 2W (Ta), 35W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220D-A1 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存9,000
2SK3044 Panasonic Electronic Components	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 450V 7A TO-220D 制造商: Panasonic Electronic Components 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 450V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 750mOhm @ 4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1300pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 2W (Ta), 40W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220D-A1 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存2,232
2SK3045 Panasonic Electronic Components	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-220D 制造商: Panasonic Electronic Components 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4Ohm @ 1.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 330pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 2W (Ta), 30W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220D-A1 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存13,806

2SK2962,F(J

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-92MOD
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Long Body

庫存7,650

2SK2962(T6CANO,A,F

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-92MOD
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Long Body

庫存4,950

2SK2962(T6CANO,F,M

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-92MOD
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Long Body

庫存3,096

2SK2962,T6F(J

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-92MOD
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Long Body

庫存6,660

2SK2962,T6F(M

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-92MOD
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Long Body

庫存5,670

2SK2962,T6WNLF(J

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-92MOD
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Long Body

庫存6,948

2SK2962,T6WNLF(M

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-92MOD
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Long Body

庫存5,778

2SK2962(TE6,F,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-92MOD
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Long Body

庫存2,412

2SK2963(TE12L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 1A PW-MINI

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 700mOhm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.3nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 140pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PW-MINI
包裝/箱: TO-243AA

庫存6,840

2SK2967(F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 250V 30A TO-3PN

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 68mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 132nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5400pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 150W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-3P(N)
包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3

庫存7,344

2SK2989,F(J

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-92MOD
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Long Body

庫存4,986

2SK2989(T6CANO,A,F

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-92MOD
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Long Body

庫存2,862

2SK2989(T6CANO,F,M

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-92MOD
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Long Body

庫存5,688

2SK2989,T6F(J

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-92MOD
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Long Body

庫存5,076

2SK2989(TPE6,F,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-92MOD
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Long Body

庫存8,838

2SK2993(TE24L,Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 250V 20A TO220SM

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 100nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4000pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 100W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-220SM
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存6,246

2SK2995(F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 250V 30A TO-3PN

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 68mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 132nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5400pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 90W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-3P(N)IS
包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3

庫存2,268

2SK3003

Sanken

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V TO-220F

制造商: Sanken
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 175mOhm @ 9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 850pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 35W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220F
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存2,214

2SK3004

Sanken

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 250V TO-220F

制造商: Sanken
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 250mOhm @ 9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 850pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 35W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220F
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存8,172

2SK3018T106

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V .1A SOT-323

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13pF @ 5V
FET功能: -
功耗（最大值）: 200mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: UMT3
包裝/箱: SC-70, SOT-323

庫存361,494

2SK3018-TP

Micro Commercial Co

晶體管-FET，MOSFET-單

N-CHANNEL MOSFET, SOT-323 PACKAG

制造商: Micro Commercial Co
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13pF @ 5V
FET功能: -
功耗（最大值）: 200mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-323
包裝/箱: SC-70, SOT-323

庫存5,220

2SK3019TL

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V .1A SOT416

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13pF @ 5V
FET功能: -
功耗（最大值）: 150mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: EMT3
包裝/箱: SC-75, SOT-416

庫存1,817,574

2SK3019-TP

Micro Commercial Co

晶體管-FET，MOSFET-單

N-CHANNEL MOSFET, SOT-523 PACKAG

制造商: Micro Commercial Co
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13pF @ 5V
FET功能: -
功耗（最大值）: 150mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-523
包裝/箱: SOT-523

庫存6,030

2SK302200L

Panasonic Electronic Components

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 5A UG-2

制造商: Panasonic Electronic Components
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 220pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1W (Ta), 10W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: U-G2
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存3,762

2SK302500L

Panasonic Electronic Components

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 30A UG-2

制造商: Panasonic Electronic Components
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 40mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1200pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1W (Ta), 25W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: U-DL
包裝/箱: TO-252-4, DPak (3 Leads + Tab)

庫存22,374

2SK303000L

Panasonic Electronic Components

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 8A UG-1

制造商: Panasonic Electronic Components
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 230mOhm @ 4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 290pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1W (Ta), 15W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: U-G1
包裝/箱: U-G1

庫存28,248

2SK303100L

Panasonic Electronic Components

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 15A UG-1

制造商: Panasonic Electronic Components
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 135mOhm @ 8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 300pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1W (Ta), 20W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: U-G1
包裝/箱: U-G1

庫存25,002

2SK3043

Panasonic Electronic Components

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 450V 5A TO-220D

制造商: Panasonic Electronic Components
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 450V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.3Ohm @ 3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 700pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2W (Ta), 35W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220D-A1
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存9,000

2SK3044

Panasonic Electronic Components

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 450V 7A TO-220D

制造商: Panasonic Electronic Components
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 450V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 750mOhm @ 4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1300pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2W (Ta), 40W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220D-A1
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存2,232

2SK3045

Panasonic Electronic Components

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-220D

制造商: Panasonic Electronic Components
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 330pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2W (Ta), 30W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220D-A1
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存13,806

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