晶體管

型號	描述	庫存
2SK3402(0)-Z-E1-AZ Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 TRANSISTOR 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存5,274
2SK3403(Q) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 450V 13A TO220FL 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 450V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 400mOhm @ 6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 34nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1600pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 100W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220FL 包裝/箱: TO-220-3, Short Tab	庫存3,996
2SK3408-T1B-AT Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 TRANS N-CH CMPAK-4 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 43V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 195mOhm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 230pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 200mW (Ta) 工作溫度: 150°C 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SC-96-3, Thin Mini Mold 包裝/箱: SC-96	庫存5,328
2SK3430(02)-S6-AZ Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 TRANSISTOR 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存8,424
2SK3430-AZ Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.3mOhm @ 40A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 50nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2800pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.5W (Ta), 84W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存3,526
2SK3430-Z-E1-AZ Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.3mOhm @ 40A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 50nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2800pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.5W (Ta), 84W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存8,568
2SK3431-AZ Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 83A TO220AB 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 83A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.6mOhm @ 42A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 110nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6100pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.5W (Ta), 100W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存6,192
2SK3431-Z-E1-AZ Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 83A TO220AB 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 83A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.6mOhm @ 42A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 110nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6100pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.5W (Ta), 100W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存4,824
2SK3435-Z-E1-AZ Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 TRANSISTOR 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存4,014
2SK3462(TE16L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 250V 3A PW-MOLD 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.7Ohm @ 1.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 267pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 20W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PW-MOLD 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存6,354
2SK3466(TE24L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 5A SC-97 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5Ohm @ 5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 780pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 50W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 4-TFP (9.2x9.2) 包裝/箱: SC-97	庫存3,204
2SK3480-AZ Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V MP-25/TO-220 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 31mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 74nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3600pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.5W (Ta), 84W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存6,822
2SK3481-AZ Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V MP-25/TO-220 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 48nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2300pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.5W (Ta), 56W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存7,974
2SK3482-AZ Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V MP-3/TO-251 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 36A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 33mOhm @ 18A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 72nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3600pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 1W (Ta), 50W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-251 (MP-3) 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存3,294
2SK3483(0)-Z-E1-AY Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 TRANSISTOR 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存2,412
2SK3483(0)-Z-E1-AZ Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 TRANSISTOR 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存4,410
2SK3483-AZ Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V MP-3/TO-251 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 28A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 52mOhm @ 14A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 49nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2300pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 1W (Ta), 40W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-251 (MP-3) 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存8,064
2SK3484(0)-Z-E1-AZ Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 TRANSISTOR 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存4,446
2SK3484-AZ Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V MP-3/TO-251 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 125mOhm @ 8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 900pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 1W (Ta), 30W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-251 (MP-3) 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存6,462
2SK353900L Panasonic Electronic Components	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 50V .1A S-MINI-3P 制造商: Panasonic Electronic Components 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 50V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15Ohm @ 10mA, 2.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 1µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±7V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12pF @ 3V FET功能: - 功耗（最大值）: 150mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SMini3-G1 包裝/箱: SC-70, SOT-323	庫存7,740
2SK3539G0L Panasonic Electronic Components	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 50V .1A S-MINI-3P 制造商: Panasonic Electronic Components 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 50V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 1µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±7V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12pF @ 3V FET功能: - 功耗（最大值）: 150mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SMini3-F2 包裝/箱: SC-85	庫存3,420
2SK3541T2L Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V .1A VMT3 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13pF @ 5V FET功能: - 功耗（最大值）: 150mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: VMT3 包裝/箱: SOT-723	庫存767,352
2SK3546G0L Panasonic Electronic Components	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 50V .1A SS-MINI-3P 制造商: Panasonic Electronic Components 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 50V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 1µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±7V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12pF @ 3V FET功能: - 功耗（最大值）: 125mW (Ta) 工作溫度: 125°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SMini3-F2 包裝/箱: SC-89, SOT-490	庫存8,424
2SK3546J0L Panasonic Electronic Components	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 50V .1A SS-MINI-3P 制造商: Panasonic Electronic Components 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 50V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 1µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±7V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12pF @ 3V FET功能: - 功耗（最大值）: 125mW (Ta) 工作溫度: 125°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SSMini3-F1 包裝/箱: SC-89, SOT-490	庫存5,562
2SK354700L Panasonic Electronic Components	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 50V .1A SSS-MINI-3P 制造商: Panasonic Electronic Components 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 50V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 1µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±7V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12pF @ 3V FET功能: - 功耗（最大值）: 100mW (Ta) 工作溫度: 125°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SSSMini3-F1 包裝/箱: SOT-723	庫存2,106
2SK3547G0L Panasonic Electronic Components	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 50V .1A SSS-MINI-3P 制造商: Panasonic Electronic Components 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 50V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 1µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±7V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12pF @ 3V FET功能: - 功耗（最大值）: 100mW (Ta) 工作溫度: 125°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SSSMini3-F2 包裝/箱: SOT-723	庫存8,424
2SK3564(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 900V 3A TO-220SIS 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: π-MOSIV FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 900V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.3Ohm @ 1.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 700pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 40W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220SIS 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存18,096
2SK3565(Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 900V 5A TO-220SIS 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: π-MOSIV FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 900V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.5Ohm @ 3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 28nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1150pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 45W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220SIS 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存5,328
2SK3566(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 900V 2.5A TO-220SIS 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: π-MOSIV FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 900V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.4Ohm @ 1.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 470pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 40W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220SIS 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存6,480
2SK3662(F) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 35A TO220NIS 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSIII FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12.5mOhm @ 18A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 91nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5120pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 35W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220NIS 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存4,356

2SK3402(0)-Z-E1-AZ

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

TRANSISTOR

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存5,274

2SK3403(Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 450V 13A TO220FL

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 450V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 400mOhm @ 6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 34nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1600pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 100W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220FL
包裝/箱: TO-220-3, Short Tab

庫存3,996

2SK3408-T1B-AT

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

TRANS N-CH CMPAK-4

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 43V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 195mOhm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 230pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 200mW (Ta)
工作溫度: 150°C
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SC-96-3, Thin Mini Mold
包裝/箱: SC-96

庫存5,328

2SK3430(02)-S6-AZ

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

TRANSISTOR

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存8,424

2SK3430-AZ

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.3mOhm @ 40A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2800pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.5W (Ta), 84W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存3,526

2SK3430-Z-E1-AZ

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.3mOhm @ 40A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2800pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.5W (Ta), 84W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存8,568

2SK3431-AZ

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 83A TO220AB

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 83A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.6mOhm @ 42A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 110nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6100pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.5W (Ta), 100W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存6,192

2SK3431-Z-E1-AZ

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 83A TO220AB

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 83A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.6mOhm @ 42A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 110nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6100pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.5W (Ta), 100W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存4,824

2SK3435-Z-E1-AZ

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

TRANSISTOR

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存4,014

2SK3462(TE16L1,NQ)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 250V 3A PW-MOLD

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.7Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 267pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 20W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PW-MOLD
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存6,354

2SK3466(TE24L,Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 5A SC-97

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5Ohm @ 5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 780pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 50W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 4-TFP (9.2x9.2)
包裝/箱: SC-97

庫存3,204

2SK3480-AZ

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V MP-25/TO-220

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 31mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 74nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3600pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.5W (Ta), 84W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存6,822

2SK3481-AZ

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V MP-25/TO-220

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 48nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2300pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.5W (Ta), 56W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存7,974

2SK3482-AZ

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V MP-3/TO-251

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 36A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 33mOhm @ 18A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 72nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3600pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1W (Ta), 50W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-251 (MP-3)
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存3,294

2SK3483(0)-Z-E1-AY

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

TRANSISTOR

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存2,412

2SK3483(0)-Z-E1-AZ

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

TRANSISTOR

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存4,410

2SK3483-AZ

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V MP-3/TO-251

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 28A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 52mOhm @ 14A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 49nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2300pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1W (Ta), 40W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-251 (MP-3)
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存8,064

2SK3484(0)-Z-E1-AZ

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

TRANSISTOR

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存4,446

2SK3484-AZ

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V MP-3/TO-251

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 125mOhm @ 8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 900pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1W (Ta), 30W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-251 (MP-3)
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存6,462

2SK353900L

Panasonic Electronic Components

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 50V .1A S-MINI-3P

制造商: Panasonic Electronic Components
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 50V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15Ohm @ 10mA, 2.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 1µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±7V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12pF @ 3V
FET功能: -
功耗（最大值）: 150mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SMini3-G1
包裝/箱: SC-70, SOT-323

庫存7,740

2SK3539G0L

Panasonic Electronic Components

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 50V .1A S-MINI-3P

制造商: Panasonic Electronic Components
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 50V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 1µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±7V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12pF @ 3V
FET功能: -
功耗（最大值）: 150mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SMini3-F2
包裝/箱: SC-85

庫存3,420

2SK3541T2L

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V .1A VMT3

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13pF @ 5V
FET功能: -
功耗（最大值）: 150mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: VMT3
包裝/箱: SOT-723

庫存767,352

2SK3546G0L

Panasonic Electronic Components

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 50V .1A SS-MINI-3P

制造商: Panasonic Electronic Components
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 50V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 1µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±7V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12pF @ 3V
FET功能: -
功耗（最大值）: 125mW (Ta)
工作溫度: 125°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SMini3-F2
包裝/箱: SC-89, SOT-490

庫存8,424

2SK3546J0L

Panasonic Electronic Components

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 50V .1A SS-MINI-3P

制造商: Panasonic Electronic Components
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 50V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 1µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±7V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12pF @ 3V
FET功能: -
功耗（最大值）: 125mW (Ta)
工作溫度: 125°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SSMini3-F1
包裝/箱: SC-89, SOT-490

庫存5,562

2SK354700L

Panasonic Electronic Components

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 50V .1A SSS-MINI-3P

制造商: Panasonic Electronic Components
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 50V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 1µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±7V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12pF @ 3V
FET功能: -
功耗（最大值）: 100mW (Ta)
工作溫度: 125°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SSSMini3-F1
包裝/箱: SOT-723

庫存2,106

2SK3547G0L

Panasonic Electronic Components

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 50V .1A SSS-MINI-3P

制造商: Panasonic Electronic Components
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 50V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 1µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±7V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12pF @ 3V
FET功能: -
功耗（最大值）: 100mW (Ta)
工作溫度: 125°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SSSMini3-F2
包裝/箱: SOT-723

庫存8,424

2SK3564(STA4,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 900V 3A TO-220SIS

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: π-MOSIV
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 900V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.3Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 700pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 40W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220SIS
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存18,096

2SK3565(Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 900V 5A TO-220SIS

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: π-MOSIV
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 900V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.5Ohm @ 3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 28nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1150pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 45W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220SIS
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存5,328

2SK3566(STA4,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 900V 2.5A TO-220SIS

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: π-MOSIV
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 900V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.4Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 470pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 40W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220SIS
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存6,480

2SK3662(F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 35A TO220NIS

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSIII
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12.5mOhm @ 18A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 91nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5120pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 35W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220NIS
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存4,356

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