2SD2695數據表
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制造商 Toshiba Semiconductor and Storage 系列 - 晶體管類型 NPN 當前-集電極（Ic）（最大值） 2A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 1.5V @ 1mA, 1A 當前-集電極截止（最大值） 10µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 2000 @ 1A, 2V 功率-最大 900mW 頻率-過渡 100MHz 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-226-3, TO-92-3 Long Body 供應商設備包裝 TO-92MOD |
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage 系列 - 晶體管類型 NPN 當前-集電極（Ic）（最大值） 2A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 1.5V @ 1mA, 1A 當前-集電極截止（最大值） 10µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 2000 @ 1A, 2V 功率-最大 900mW 頻率-過渡 100MHz 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-226-3, TO-92-3 Long Body 供應商設備包裝 TO-92MOD |
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage 系列 - 晶體管類型 NPN 當前-集電極（Ic）（最大值） 2A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 1.5V @ 1mA, 1A 當前-集電極截止（最大值） 10µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 2000 @ 1A, 2V 功率-最大 900mW 頻率-過渡 100MHz 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-226-3, TO-92-3 Long Body 供應商設備包裝 TO-92MOD |
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage 系列 - 晶體管類型 NPN 當前-集電極（Ic）（最大值） 2A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 1.5V @ 1mA, 1A 當前-集電極截止（最大值） 10µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 2000 @ 1A, 2V 功率-最大 900mW 頻率-過渡 100MHz 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-226-3, TO-92-3 Long Body 供應商設備包裝 TO-92MOD |
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage 系列 - 晶體管類型 NPN 當前-集電極（Ic）（最大值） 2A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 1.5V @ 1mA, 1A 當前-集電極截止（最大值） 10µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 2000 @ 1A, 2V 功率-最大 900mW 頻率-過渡 100MHz 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-226-3, TO-92-3 Long Body 供應商設備包裝 TO-92MOD |
