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2SD2695,T6F(M

2SD2695,T6F(M

僅供參考

型號 2SD2695,T6F(M
PNEDA編號 2SD2695-T6F-M
描述 TRANS NPN 2A 60V TO226-3
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 3,598
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 21 - 一月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SD2695資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SD2695,T6F(M
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
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2SD2695規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)2A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)60V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1.5V @ 1mA, 1A
當前-集電極截止(最大值)10µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce2000 @ 1A, 2V
功率-最大900mW
頻率-過渡100MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 Long Body
供應商設備包裝TO-92MOD

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80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2.5V @ 80mA, 8A

當前-集電極截止(最大值)

50µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

1000 @ 3A, 4V

功率-最大

2W

頻率-過渡

-

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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150V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 15mA, 150mA

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 10V

功率-最大

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當前-集電極(Ic)(最大值)

6A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

260mV @ 300mA, 6A

當前-集電極截止(最大值)

20nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 2A, 1V

功率-最大

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 30mA, 300mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

170 @ 150mA, 10V

功率-最大

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.2V @ 10mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

10µA

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