APTGFQ25H120T2G數據表
Microsemi 制造商 Microsemi Corporation 系列 - IGBT類型 NPT and Fieldstop 配置 Full Bridge 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 1200V 當前-集電極(Ic)(最大值) 40A 功率-最大 227W Vce(on)(Max)@ Vge,Ic 2.1V @ 15V, 25A 當前-集電極截止(最大值) 250µA 輸入電容(Cies)@ Vce 2.02nF @ 25V 輸入 Standard NTC熱敏電阻 Yes 工作溫度 - 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 SP2 供應商設備包裝 SP2 |