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APTGFQ25H120T2G

APTGFQ25H120T2G

僅供參考

型號 APTGFQ25H120T2G
PNEDA編號 APTGFQ25H120T2G
描述 IGBT 1200V 40A 227W MODULE
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 4,104
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 20 - 十二月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTGFQ25H120T2G資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTGFQ25H120T2G
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊
數據表
APTGFQ25H120T2G, APTGFQ25H120T2G數據表 (總頁數: 6, 大小: 549.46 KB)
PDFAPTGFQ25H120T2G數據表 封面
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APTGFQ25H120T2G規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
IGBT類型NPT and Fieldstop
配置Full Bridge
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)40A
功率-最大227W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.1V @ 15V, 25A
當前-集電極截止(最大值)250µA
輸入電容(Cies)@ Vce2.02nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻Yes
工作溫度-
安裝類型Through Hole
包裝/箱SP2
供應商設備包裝SP2

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110A

功率-最大

416W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 90A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

4.3nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

SP4

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Half Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

1500A

功率-最大

20mW

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.15V @ 15V, 1.5kA

當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 175°C

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

AG-PRIME3+-5

APTGT300A60D3G

Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

-

IGBT類型

Trench Field Stop

配置

Half Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

400A

功率-最大

940W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.9V @ 15V, 300A

當前-集電極截止(最大值)

500µA

輸入電容(Cies)@ Vce

18.5nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

D-3 Module

供應商設備包裝

D3

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PT

配置

Half Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

465A

功率-最大

1500W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 300A

當前-集電極截止(最大值)

300µA

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

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Infineon Technologies

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-

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Half Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

285A

功率-最大

1250W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.5V @ 15V, 200A

當前-集電極截止(最大值)

3mA

輸入電容(Cies)@ Vce

22.7nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

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