BFR31LT1G數據表
ON Semiconductor 制造商 ON Semiconductor 系列 - FET類型 N-Channel 電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS) - 漏極至源極電壓(Vdss) 25V 當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0) 1mA @ 10V 電流消耗(Id)-最大 - 電壓-截止(VGS關閉)@ ID 2.5V @ 0.5nA 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 5pF @ 10V 電阻-RDS(On) - 功率-最大 225mW 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝 SOT-23-3 (TO-236) |
ON Semiconductor 制造商 ON Semiconductor 系列 - FET類型 N-Channel 電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS) - 漏極至源極電壓(Vdss) 25V 當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0) 1mA @ 10V 電流消耗(Id)-最大 - 電壓-截止(VGS關閉)@ ID 2.5V @ 0.5nA 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 5pF @ 10V 電阻-RDS(On) - 功率-最大 225mW 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝 SOT-23-3 (TO-236) |
ON Semiconductor 制造商 ON Semiconductor 系列 - FET類型 N-Channel 電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS) - 漏極至源極電壓(Vdss) 25V 當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0) 4mA @ 10V 電流消耗(Id)-最大 - 電壓-截止(VGS關閉)@ ID 5V @ 0.5nA 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 5pF @ 10V 電阻-RDS(On) - 功率-最大 225mW 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝 SOT-23-3 (TO-236) |
ON Semiconductor 制造商 ON Semiconductor 系列 - FET類型 N-Channel 電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS) - 漏極至源極電壓(Vdss) 25V 當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0) 4mA @ 10V 電流消耗(Id)-最大 - 電壓-截止(VGS關閉)@ ID 5V @ 0.5nA 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 5pF @ 10V 電阻-RDS(On) - 功率-最大 225mW 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝 SOT-23-3 (TO-236) |