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BFR31LT1

BFR31LT1

僅供參考

型號 BFR31LT1
PNEDA編號 BFR31LT1
描述 JFET N-CH 225MW SOT23
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,526
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BFR31LT1資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BFR31LT1
類別半導體晶體管晶體管-JFET
數據表
BFR31LT1, BFR31LT1數據表 (總頁數: 4, 大小: 59.41 KB)
PDFBFR31LT1G數據表 封面
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BFR31LT1規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)-
漏極至源極電壓(Vdss)25V
當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)1mA @ 10V
電流消耗(Id)-最大-
電壓-截止(VGS關閉)@ ID2.5V @ 0.5nA
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds5pF @ 10V
電阻-RDS(On)-
功率-最大225mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23-3 (TO-236)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

900µA @ 5V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

1V @ 1µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

300mW

工作溫度

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

供應商設備包裝

TO-18

2SK715W

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

N-Channel

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

-

漏極至源極電壓(Vdss)

15V

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

14.5mA @ 5V

電流消耗(Id)-最大

50mA

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

600mV @ 100µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

10pF @ 5V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

300mW

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FET類型

N-Channel

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

-

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

107µA @ 2V

電流消耗(Id)-最大

2mA

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

100mW

工作溫度

-20°C ~ 80°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOT-723

供應商設備包裝

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

N-Channel

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

150µA @ 5V

電流消耗(Id)-最大

1mA

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

500mV @ 1µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4.1pF @ 5V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

100mW

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

SC-72

供應商設備包裝

3-SPA

J174_D75Z

ON Semiconductor

制造商

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FET類型

P-Channel

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

30V

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

20mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

5V @ 10nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

85 Ohms

功率-最大

350mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Through Hole

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