BST72A數據表
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制造商 NXP USA Inc. 系列 TrenchMOS™ FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 190mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs 10Ohm @ 150mA, 5V Vgs（th）（最大）@ ID 3.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs - Vgs（最大） 20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 40pF @ 10V FET功能 - 功耗（最大值） 830mW (Ta) 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 TO-92-3 包裝/箱 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
