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BST72A,112

BST72A,112

僅供參考

型號 BST72A,112
PNEDA編號 BST72A-112
描述 MOSFET N-CH 100V 190MA SOT54
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 4,428
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 25 - 一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BST72A資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BST72A,112
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
BST72A, BST72A數據表 (總頁數: 12, 大小: 75.29 KB)
PDFBST72A數據表 封面
BST72A數據表 頁面 2 BST72A數據表 頁面 3 BST72A數據表 頁面 4 BST72A數據表 頁面 5 BST72A數據表 頁面 6 BST72A數據表 頁面 7 BST72A數據表 頁面 8 BST72A數據表 頁面 9 BST72A數據表 頁面 10 BST72A數據表 頁面 11

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BST72A規格

制造商NXP USA Inc.
系列TrenchMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)190mA (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs10Ohm @ 150mA, 5V
Vgs(th)(最大)@ ID3.5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
Vgs(最大)20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds40pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)830mW (Ta)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-92-3
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

270A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.4mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

182nC @ 10V

Vgs(最大)

±15V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9140pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

375W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-247

包裝/箱

TO-247-3

DMN3042L-13

Diodes Incorporated

制造商

Diodes Incorporated

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.8A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

26.5mOhm @ 5.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

860pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

720mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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供應商設備包裝

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

800V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

38A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

200mOhm @ 19A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 2.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

195nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5200pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

694W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

T-MAX™ [B2]

包裝/箱

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Toshiba Semiconductor and Storage

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

900V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.4Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

470pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

40W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

120A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.3mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 120µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

91nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6540pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

190W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

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