D45H8數據表
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制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 PNP 當前-集電極(Ic)(最大值) 10A 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 60V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 1V @ 400mA, 8A 當前-集電極截止(最大值) 10µA 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 40 @ 4A, 1V 功率-最大 2W 頻率-過渡 40MHz 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-220-3 供應商設備包裝 TO-220AB |
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN 當前-集電極(Ic)(最大值) 10A 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 80V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 1V @ 400mA, 8A 當前-集電極截止(最大值) 10µA 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 40 @ 4A, 1V 功率-最大 2W 頻率-過渡 50MHz 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-220-3 供應商設備包裝 TO-220AB |
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 PNP 當前-集電極(Ic)(最大值) 10A 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 80V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 1V @ 400mA, 8A 當前-集電極截止(最大值) 10µA 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 40 @ 4A, 1V 功率-最大 2W 頻率-過渡 40MHz 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-220-3 供應商設備包裝 TO-220AB |
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制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN 當前-集電極(Ic)(最大值) 10A 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 80V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 1V @ 400mA, 8A 當前-集電極截止(最大值) 10µA 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 40 @ 4A, 1V 功率-最大 2W 頻率-過渡 50MHz 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-220-3 供應商設備包裝 TO-220AB |
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN 當前-集電極(Ic)(最大值) 10A 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 80V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 1V @ 400mA, 8A 當前-集電極截止(最大值) 10µA 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 40 @ 4A, 1V 功率-最大 60W 頻率-過渡 50MHz 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-220-3 供應商設備包裝 TO-220-3 |