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D44H8G

D44H8G

僅供參考

型號 D44H8G
PNEDA編號 D44H8G
描述 TRANS NPN 60V 10A TO220AB
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,092
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

D44H8G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號D44H8G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
D44H8G, D44H8G數據表 (總頁數: 6, 大小: 237.42 KB)
PDFD45H8數據表 封面
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D44H8G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)10A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)60V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1V @ 400mA, 8A
當前-集電極截止(最大值)10µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce40 @ 4A, 1V
功率-最大2W
頻率-過渡50MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3
供應商設備包裝TO-220AB

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

900mV @ 10A, 100A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

功率-最大

300W

頻率-過渡

-

工作溫度

200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 600mA, 6A

當前-集電極截止(最大值)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 2A, 1V

功率-最大

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60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

4V @ 6.25A, 25A

當前-集電極截止(最大值)

2mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 10A, 4V

功率-最大

200W

頻率-過渡

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安裝類型

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

200mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 2mA, 10V

功率-最大

1.5W

頻率-過渡

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工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 25mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 100mA, 2V

功率-最大

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