EDB4064B4PB-1DIT-F-D TR數據表
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制造商 Micron Technology Inc. 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM - Mobile LPDDR2 內存大小 4Gb (64M x 64) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 533MHz 寫周期-字，頁 - 訪問時間 - 電壓-供電 1.14V ~ 1.95V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TC) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 216-WFBGA 供應商設備包裝 216-WFBGA (12x12) |
制造商 Micron Technology Inc. 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM - Mobile LPDDR2 內存大小 4Gb (64M x 64) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 533MHz 寫周期-字，頁 - 訪問時間 - 電壓-供電 1.14V ~ 1.95V 工作溫度 -30°C ~ 85°C (TC) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 216-WFBGA 供應商設備包裝 216-WFBGA (12x12) |
制造商 Micron Technology Inc. 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM - Mobile LPDDR2 內存大小 4Gb (64M x 64) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 533MHz 寫周期-字，頁 - 訪問時間 - 電壓-供電 1.14V ~ 1.95V 工作溫度 -30°C ~ 85°C (TC) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 216-WFBGA 供應商設備包裝 216-WFBGA (12x12) |
制造商 Micron Technology Inc. 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM - Mobile LPDDR2 內存大小 4Gb (64M x 64) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 533MHz 寫周期-字，頁 - 訪問時間 - 電壓-供電 1.14V ~ 1.95V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TC) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 216-WFBGA 供應商設備包裝 216-WFBGA (12x12) |
制造商 Micron Technology Inc. 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM - Mobile LPDDR2 內存大小 4Gb (64M x 64) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 533MHz 寫周期-字，頁 - 訪問時間 - 電壓-供電 1.14V ~ 1.95V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TC) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 216-WFBGA 供應商設備包裝 216-WFBGA (12x12) |
制造商 Micron Technology Inc. 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM - Mobile LPDDR2 內存大小 2Gb (64M x 32) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 533MHz 寫周期-字，頁 - 訪問時間 - 電壓-供電 1.14V ~ 1.95V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TC) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 134-VFBGA 供應商設備包裝 134-VFBGA (10x11.5) |
制造商 Micron Technology Inc. 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM - Mobile LPDDR2 內存大小 2Gb (64M x 32) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 533MHz 寫周期-字，頁 - 訪問時間 - 電壓-供電 1.14V ~ 1.95V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TC) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 134-VFBGA 供應商設備包裝 134-VFBGA (10x11.5) |
制造商 Micron Technology Inc. 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM - Mobile LPDDR2 內存大小 4Gb (64M x 64) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 533MHz 寫周期-字，頁 - 訪問時間 - 電壓-供電 1.14V ~ 1.95V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TC) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 216-WFBGA 供應商設備包裝 216-WFBGA (12x12) |
