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EDB4064B4PB-1DIT-F-D TR

EDB4064B4PB-1DIT-F-D TR

僅供參考

型號 EDB4064B4PB-1DIT-F-D TR
PNEDA編號 EDB4064B4PB-1DIT-F-D-TR
描述 IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 6,012
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

EDB4064B4PB-1DIT-F-D TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號EDB4064B4PB-1DIT-F-D TR
類別半導體內存IC內存
數據表
EDB4064B4PB-1DIT-F-D TR, EDB4064B4PB-1DIT-F-D TR數據表 (總頁數: 148, 大小: 1,856.3 KB)
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EDB4064B4PB-1DIT-F-D TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - Mobile LPDDR2
內存大小4Gb (64M x 64)
內存接口Parallel
時鐘頻率533MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電1.14V ~ 1.95V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱216-WFBGA
供應商設備包裝216-WFBGA (12x12)

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內存接口

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時鐘頻率

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訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

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訪問時間

15ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

100-LQFP

供應商設備包裝

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制造商

Micron Technology Inc.

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

1Gb (128M x 8, 64M x 16)

內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

110ns

訪問時間

110ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

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內存類型

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內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

4Mb (512K x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

104MHz

寫周期-字,頁

1ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.65V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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