EFC6604R-TR數據表
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制造商 ON Semiconductor 系列 - FET類型 2 N-Channel (Dual) FET功能 Logic Level Gate, 2.5V Drive 漏極至源極電壓（Vdss） - 電流-25°C時的連續漏極（Id） - Rds On（Max）@ Id，Vgs - Vgs（th）（最大）@ ID - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 29nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds - 功率-最大 1.6W 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 6-XFBGA 供應商設備包裝 6-EFCP (1.9x1.46) |
