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EFC6604R-TR

EFC6604R-TR

僅供參考

型號 EFC6604R-TR
PNEDA編號 EFC6604R-TR
描述 MOSFET 2N-CH EFCP
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,364
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

EFC6604R-TR資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號EFC6604R-TR
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
EFC6604R-TR, EFC6604R-TR數據表 (總頁數: 6, 大小: 732.85 KB)
PDFEFC6604R-TR數據表 封面
EFC6604R-TR數據表 頁面 2 EFC6604R-TR數據表 頁面 3 EFC6604R-TR數據表 頁面 4 EFC6604R-TR數據表 頁面 5 EFC6604R-TR數據表 頁面 6

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EFC6604R-TR規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate, 2.5V Drive
漏極至源極電壓(Vdss)-
電流-25°C時的連續漏極(Id)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs-
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs29nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大1.6W
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-XFBGA
供應商設備包裝6-EFCP (1.9x1.46)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

35mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

760pF @ 15V

功率-最大

2W

工作溫度

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Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

100mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

532pF @ 16V

功率-最大

2W

工作溫度

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2 P-Channel (Dual)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

55mOhm @ 3.2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

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