FDMS3660S-F121數據表
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制造商 ON Semiconductor 系列 PowerTrench® FET類型 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET功能 Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss） 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 13A, 30A Rds On（Max）@ Id，Vgs 8mOhm @ 13A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 2.7V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 29nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 1765pF @ 15V 功率-最大 1W 工作溫度 - 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 8-PowerTDFN 供應商設備包裝 Power56 |
制造商 ON Semiconductor 系列 PowerTrench® FET類型 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET功能 Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss） 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 13A, 30A Rds On（Max）@ Id，Vgs 8mOhm @ 13A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 2.7V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 29nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 1765pF @ 15V 功率-最大 1W 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 8-PowerTDFN 供應商設備包裝 Power56 |
