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FDMS3660S

FDMS3660S

僅供參考

型號 FDMS3660S
PNEDA編號 FDMS3660S
描述 MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8-PQFN
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,362
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDMS3660S資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDMS3660S
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
FDMS3660S, FDMS3660S數據表 (總頁數: 16, 大小: 478.63 KB)
PDFFDMS3660S-F121數據表 封面
FDMS3660S-F121數據表 頁面 2 FDMS3660S-F121數據表 頁面 3 FDMS3660S-F121數據表 頁面 4 FDMS3660S-F121數據表 頁面 5 FDMS3660S-F121數據表 頁面 6 FDMS3660S-F121數據表 頁面 7 FDMS3660S-F121數據表 頁面 8 FDMS3660S-F121數據表 頁面 9 FDMS3660S-F121數據表 頁面 10 FDMS3660S-F121數據表 頁面 11

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FDMS3660S規格

制造商ON Semiconductor
系列PowerTrench®
FET類型2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)13A, 30A
Rds On(Max)@ Id,Vgs8mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.7V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs29nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1765pF @ 15V
功率-最大1W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-PowerTDFN
供應商設備包裝Power56

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.8A, 4.6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

27mOhm @ 6.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.3V @ 10µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

398pF @ 15V

功率-最大

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工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

46mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.3nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

670pF @ 10V

功率-最大

1.5W

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

20.5mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

865pF @ 15V

功率-最大

2W

工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.1A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

31mOhm @ 4.8A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

900mV @ 300µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

830mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7nC @ 10V

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