FESE8CT-E3/45數據表
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制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division 系列 - 二極管類型 Standard 電壓-直流反向（Vr）（最大值） 150V 電流-平均整流（Io） 8A 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果 950mV @ 8A 速度 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 反向恢復時間（trr） 35ns 當前-反向泄漏@ Vr 10µA @ 150V 電容@ Vr，F - 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-220-2 供應商設備包裝 TO-220AC 工作溫度-結點 -55°C ~ 150°C |
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division 系列 - 二極管類型 Standard 電壓-直流反向（Vr）（最大值） 100V 電流-平均整流（Io） 8A 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果 950mV @ 8A 速度 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 反向恢復時間（trr） 35ns 當前-反向泄漏@ Vr 10µA @ 100V 電容@ Vr，F - 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-220-2 供應商設備包裝 TO-220AC 工作溫度-結點 -55°C ~ 150°C |
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division 系列 - 二極管類型 Standard 電壓-直流反向（Vr）（最大值） 50V 電流-平均整流（Io） 8A 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果 950mV @ 8A 速度 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 反向恢復時間（trr） 35ns 當前-反向泄漏@ Vr 10µA @ 50V 電容@ Vr，F - 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-220-2 供應商設備包裝 TO-220AC 工作溫度-結點 -55°C ~ 150°C |
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division 系列 - 二極管類型 Standard 電壓-直流反向（Vr）（最大值） 400V 電流-平均整流（Io） 8A 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果 1.3V @ 8A 速度 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 反向恢復時間（trr） 50ns 當前-反向泄漏@ Vr 10µA @ 400V 電容@ Vr，F 85pF @ 4V, 1MHz 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-220-2 供應商設備包裝 TO-220AC 工作溫度-結點 -55°C ~ 150°C |
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division 系列 - 二極管類型 Standard 電壓-直流反向（Vr）（最大值） 300V 電流-平均整流（Io） 8A 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果 1.3V @ 8A 速度 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 反向恢復時間（trr） 50ns 當前-反向泄漏@ Vr 10µA @ 300V 電容@ Vr，F 85pF @ 4V, 1MHz 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-220-2 供應商設備包裝 TO-220AC 工作溫度-結點 -55°C ~ 150°C |
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division 系列 - 二極管類型 Standard 電壓-直流反向（Vr）（最大值） 200V 電流-平均整流（Io） 8A 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果 950mV @ 8A 速度 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 反向恢復時間（trr） 35ns 當前-反向泄漏@ Vr 10µA @ 200V 電容@ Vr，F 85pF @ 4V, 1MHz 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-220-2 供應商設備包裝 TO-220AC 工作溫度-結點 -55°C ~ 150°C |
