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FESE8AT-E3/45

FESE8AT-E3/45

僅供參考

型號 FESE8AT-E3/45
PNEDA編號 FESE8AT-E3-45
描述 DIODE ARRAY GENERAL PURPOSE
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 6,552
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FESE8AT-E3/45資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FESE8AT-E3/45
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
FESE8AT-E3/45, FESE8AT-E3/45數據表 (總頁數: 4, 大小: 74.63 KB)
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FESE8AT-E3/45規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)50V
電流-平均整流(Io)8A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果950mV @ 8A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)35ns
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 50V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-2
供應商設備包裝TO-220AC
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1600V

電流-平均整流(Io)

320A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.4V @ 60A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

60mA @ 1600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

820mV @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

4µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

PowerDI™ 5

供應商設備包裝

PowerDI™ 5

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

S3JHE3_A/I

Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

-

二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.15V @ 2.5A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2.5µs

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 600V

電容@ Vr,F

60pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-214AB (SMC)

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

400V

電流-平均整流(Io)

-

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.51V @ 20A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

45ns

當前-反向泄漏@ Vr

15µA @ 400V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab

供應商設備包裝

ITO-220AC

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

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200V

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1.7A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 2A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

920ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

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