GA10JT12-263數據表
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制造商 GeneSiC Semiconductor 系列 - FET類型 - 技術 SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 漏極至源極電壓（Vdss） 1200V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 25A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） - Rds On（Max）@ Id，Vgs 120mOhm @ 10A Vgs（th）（最大）@ ID - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs - Vgs（最大） - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 1403pF @ 800V FET功能 - 功耗（最大值） 170W (Tc) 工作溫度 175°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 - 包裝/箱 - |
