GA10JT12-263
僅供參考
| 型號 | GA10JT12-263 |
| PNEDA編號 | GA10JT12-263 |
| 描述 | TRANS SJT 1200V 25A |
| 制造商 | GeneSiC Semiconductor |
| 單價 | 請求報價 |
| 庫存 | 17,196 |
| 倉庫 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 預計交貨 | 一月 20 - 一月 25 (選擇加急運輸) |
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GA10JT12-263資源
| 品牌 | GeneSiC Semiconductor |
| ECAD Module |
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| 制造商零件編號 | GA10JT12-263 |
| 類別 | 半導體 › 晶體管 › 晶體管-FET，MOSFET-單 |
| 數據表 |
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GA10JT12-263規格
| 制造商 | GeneSiC Semiconductor |
| 系列 | - |
| FET類型 | - |
| 技術 | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| 漏極至源極電壓（Vdss） | 1200V |
| 電流-25°C時的連續漏極（Id） | 25A (Tc) |
| 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） | - |
| Rds On（Max）@ Id，Vgs | 120mOhm @ 10A |
| Vgs（th）（最大）@ ID | - |
| 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs | - |
| Vgs（最大） | - |
| 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds | 1403pF @ 800V |
| FET功能 | - |
| 功耗（最大值） | 170W (Tc) |
| 工作溫度 | 175°C (TJ) |
| 安裝類型 | Surface Mount |
| 供應商設備包裝 | - |
| 包裝/箱 | - |
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