GB35XF120K數據表
Vishay Semiconductor Diodes Division 制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division 系列 - IGBT類型 NPT 配置 Three Phase Inverter 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 1200V 當前-集電極(Ic)(最大值) 50A 功率-最大 284W Vce(on)(Max)@ Vge,Ic 3V @ 15V, 50A 當前-集電極截止(最大值) 100µA 輸入電容(Cies)@ Vce 3.475nF @ 30V 輸入 Standard NTC熱敏電阻 No 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Chassis Mount 包裝/箱 ECONO2 供應商設備包裝 - |