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GB35XF120K

GB35XF120K

僅供參考

型號 GB35XF120K
PNEDA編號 GB35XF120K
描述 MODULE IGBT 1200V 35A ECONO2 6PK
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 7,992
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

GB35XF120K資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號GB35XF120K
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊
數據表
GB35XF120K, GB35XF120K數據表 (總頁數: 9, 大小: 320.03 KB)
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GB35XF120K規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
IGBT類型NPT
配置Three Phase Inverter
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)50A
功率-最大284W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic3V @ 15V, 50A
當前-集電極截止(最大值)100µA
輸入電容(Cies)@ Vce3.475nF @ 30V
輸入Standard
NTC熱敏電阻No
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱ECONO2
供應商設備包裝-

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1700V

當前-集電極(Ic)(最大值)

72A

功率-最大

500W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.9V @ 15V, 50A

當前-集電極截止(最大值)

-

輸入電容(Cies)@ Vce

8nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

Module

F1235R12KT4GBOSA1

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

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IGBT類型

Trench Field Stop

配置

Single

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

35A

功率-最大

210W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.15V @ 15V, 35A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

2nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

600A

功率-最大

1130W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.2V @ 15V, 600A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

90nF @ 10V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

Module

制造商

IXYS

系列

-

IGBT類型

Trench

配置

Three Phase Inverter

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

80A

功率-最大

270W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 50A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

3.6nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TJ)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

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125A

功率-最大

330W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.9V @ 15V, 100A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

6.2nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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