HGT1S10N120BNS數據表
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制造商 ON Semiconductor 系列 - IGBT類型 NPT 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值） 35A 電流-集電極脈沖（Icm） 80A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic 2.7V @ 15V, 10A 功率-最大 298W 開關能量 320µJ (on), 800µJ (off) 輸入類型 Standard 門禁費用 100nC 25°C時的Td（開/關） 23ns/165ns 測試條件 960V, 10A, 10Ohm, 15V 反向恢復時間（trr） - 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供應商設備包裝 TO-263AB |
制造商 ON Semiconductor 系列 - IGBT類型 NPT 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值） 35A 電流-集電極脈沖（Icm） 80A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic 2.7V @ 15V, 10A 功率-最大 298W 開關能量 320µJ (on), 800µJ (off) 輸入類型 Standard 門禁費用 100nC 25°C時的Td（開/關） 23ns/165ns 測試條件 960V, 10A, 10Ohm, 15V 反向恢復時間（trr） - 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-220-3 供應商設備包裝 TO-220-3 |
制造商 ON Semiconductor 系列 - IGBT類型 NPT 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值） 35A 電流-集電極脈沖（Icm） 80A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic 2.7V @ 15V, 10A 功率-最大 298W 開關能量 320µJ (on), 800µJ (off) 輸入類型 Standard 門禁費用 100nC 25°C時的Td（開/關） 23ns/165ns 測試條件 960V, 10A, 10Ohm, 15V 反向恢復時間（trr） - 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供應商設備包裝 TO-263AB |
