HGT1S10N120BNST
僅供參考
| 型號 | HGT1S10N120BNST |
| PNEDA編號 | HGT1S10N120BNST |
| 描述 | IGBT 1200V 35A 298W TO263AB |
| 制造商 | ON Semiconductor |
| 單價 | 請求報價 |
| 庫存 | 20,412 |
| 倉庫 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 預計交貨 | 三月 6 - 三月 11 (選擇加急運輸) |
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HGT1S10N120BNST資源
| 品牌 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| 制造商零件編號 | HGT1S10N120BNST |
| 類別 | 半導體 › 晶體管 › 晶體管-IGBT-單 |
| 數據表 |
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HGT1S10N120BNST規格
| 制造商 | ON Semiconductor |
| 系列 | - |
| IGBT類型 | NPT |
| 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） | 1200V |
| 當前-集電極（Ic）（最大值） | 35A |
| 電流-集電極脈沖（Icm） | 80A |
| Vce（on）（Max）@ Vge，Ic | 2.7V @ 15V, 10A |
| 功率-最大 | 298W |
| 開關能量 | 320µJ (on), 800µJ (off) |
| 輸入類型 | Standard |
| 門禁費用 | 100nC |
| 25°C時的Td（開/關） | 23ns/165ns |
| 測試條件 | 960V, 10A, 10Ohm, 15V |
| 反向恢復時間（trr） | - |
| 工作溫度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安裝類型 | Surface Mount |
| 包裝/箱 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 供應商設備包裝 | TO-263AB |
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