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HGTP12N60C3D數據表

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ON Semiconductor
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HGTP12N60C3D

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

24A

電流-集電極脈沖(Icm)

96A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.2V @ 15V, 15A

功率-最大

104W

開關能量

380µJ (on), 900µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

48nC

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

40ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-3

供應商設備包裝

TO-220-3