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HGTP12N60C3D

HGTP12N60C3D

僅供參考

型號 HGTP12N60C3D
PNEDA編號 HGTP12N60C3D
描述 IGBT 600V 24A 104W TO220AB
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,222
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 11 - 二月 16 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

HGTP12N60C3D資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號HGTP12N60C3D
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
HGTP12N60C3D, HGTP12N60C3D數據表 (總頁數: 10, 大小: 273.21 KB)
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HGTP12N60C3D規格

制造商ON Semiconductor
系列-
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)24A
電流-集電極脈沖(Icm)96A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.2V @ 15V, 15A
功率-最大104W
開關能量380µJ (on), 900µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用48nC
25°C時的Td(開/關)-
測試條件-
反向恢復時間(trr)40ns
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3
供應商設備包裝TO-220-3

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100A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3V @ 15V, 12A

功率-最大

150W

開關能量

160µJ (on), 90µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

25nC

25°C時的Td(開/關)

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測試條件

400V, 12A, 22Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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16A

電流-集電極脈沖(Icm)

32A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.8V @ 15V, 9A

功率-最大

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開關能量

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輸入類型

Standard

門禁費用

34nC

25°C時的Td(開/關)

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測試條件

480V, 9A, 50Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供應商設備包裝

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系列

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

55A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3V @ 15V, 27A

功率-最大

200W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

-

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

4V @ 15V, 10A

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32nC

25°C時的Td(開/關)

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