HN4A06J(TE85L數據表
HN4A06J(TE85L數據表
總頁數: 4
大小: 308.25 KB
Toshiba Semiconductor and Storage
此數據表涵蓋了1零件號:
HN4A06J(TE85L,F)
|
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage 系列 - 晶體管類型 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter 當前-集電極（Ic）（最大值） 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 120V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 300mV @ 1mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值） 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 200 @ 2mA, 6V 功率-最大 300mW 頻率-過渡 100MHz 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 SC-74A, SOT-753 供應商設備包裝 SMV |
