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HN4A06J(TE85L,F)

HN4A06J(TE85L,F)

僅供參考

型號 HN4A06J(TE85L,F)
PNEDA編號 HN4A06J-TE85L-F
描述 TRANS 2PNP 120V 0.1A SMV
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 2,502
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 6 - 十二月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

HN4A06J(TE85L資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號HN4A06J(TE85L,F)
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列
數據表
HN4A06J(TE85L, HN4A06J(TE85L數據表 (總頁數: 4, 大小: 308.25 KB)
PDFHN4A06J(TE85L數據表 封面
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HN4A06J(TE85L規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
晶體管類型2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)120V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce200 @ 2mA, 6V
功率-最大300mW
頻率-過渡100MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-74A, SOT-753
供應商設備包裝SMV

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15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 2mA, 5V

功率-最大

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頻率-過渡

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工作溫度

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當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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