IDT71P72804S250BQG8數據表
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制造商 IDT, Integrated Device Technology Inc 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 SRAM 技術 SRAM - Synchronous, QDR II 內存大小 18Mb (1M x 18) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 250MHz 寫周期-字，頁 - 訪問時間 6.3ns 電壓-供電 1.7V ~ 1.9V 工作溫度 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 165-TBGA 供應商設備包裝 165-CABGA (13x15) |
制造商 IDT, Integrated Device Technology Inc 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 SRAM 技術 SRAM - Synchronous, QDR II 內存大小 18Mb (1M x 18) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 250MHz 寫周期-字，頁 - 訪問時間 6.3ns 電壓-供電 1.7V ~ 1.9V 工作溫度 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 165-TBGA 供應商設備包裝 165-CABGA (13x15) |
制造商 IDT, Integrated Device Technology Inc 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 SRAM 技術 SRAM - Synchronous, QDR II 內存大小 18Mb (1M x 18) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 250MHz 寫周期-字，頁 - 訪問時間 6.3ns 電壓-供電 1.7V ~ 1.9V 工作溫度 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 165-TBGA 供應商設備包裝 165-CABGA (13x15) |
制造商 IDT, Integrated Device Technology Inc 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 SRAM 技術 SRAM - Synchronous, QDR II 內存大小 18Mb (1M x 18) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 250MHz 寫周期-字，頁 - 訪問時間 6.3ns 電壓-供電 1.7V ~ 1.9V 工作溫度 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 165-TBGA 供應商設備包裝 165-CABGA (13x15) |
制造商 IDT, Integrated Device Technology Inc 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 SRAM 技術 SRAM - Synchronous, QDR II 內存大小 18Mb (1M x 18) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 200MHz 寫周期-字，頁 - 訪問時間 7.88ns 電壓-供電 1.7V ~ 1.9V 工作溫度 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 165-TBGA 供應商設備包裝 165-CABGA (13x15) |
制造商 IDT, Integrated Device Technology Inc 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 SRAM 技術 SRAM - Synchronous, QDR II 內存大小 18Mb (1M x 18) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 200MHz 寫周期-字，頁 - 訪問時間 7.88ns 電壓-供電 1.7V ~ 1.9V 工作溫度 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 165-TBGA 供應商設備包裝 165-CABGA (13x15) |
制造商 IDT, Integrated Device Technology Inc 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 SRAM 技術 SRAM - Synchronous, QDR II 內存大小 18Mb (1M x 18) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 200MHz 寫周期-字，頁 - 訪問時間 7.88ns 電壓-供電 1.7V ~ 1.9V 工作溫度 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 165-TBGA 供應商設備包裝 165-CABGA (13x15) |
制造商 IDT, Integrated Device Technology Inc 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 SRAM 技術 SRAM - Synchronous, QDR II 內存大小 18Mb (1M x 18) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 167MHz 寫周期-字，頁 - 訪問時間 8.4ns 電壓-供電 1.7V ~ 1.9V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 165-TBGA 供應商設備包裝 165-CABGA (13x15) |
制造商 IDT, Integrated Device Technology Inc 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 SRAM 技術 SRAM - Synchronous, QDR II 內存大小 18Mb (1M x 18) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 167MHz 寫周期-字，頁 - 訪問時間 8.4ns 電壓-供電 1.7V ~ 1.9V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 165-TBGA 供應商設備包裝 165-CABGA (13x15) |
制造商 IDT, Integrated Device Technology Inc 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 SRAM 技術 SRAM - Synchronous, QDR II 內存大小 18Mb (1M x 18) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 167MHz 寫周期-字，頁 - 訪問時間 8.4ns 電壓-供電 1.7V ~ 1.9V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 165-TBGA 供應商設備包裝 165-CABGA (13x15) |
制造商 IDT, Integrated Device Technology Inc 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 SRAM 技術 SRAM - Synchronous, QDR II 內存大小 18Mb (1M x 18) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 167MHz 寫周期-字，頁 - 訪問時間 8.4ns 電壓-供電 1.7V ~ 1.9V 工作溫度 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 165-TBGA 供應商設備包裝 165-CABGA (13x15) |
制造商 IDT, Integrated Device Technology Inc 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 SRAM 技術 SRAM - Synchronous, QDR II 內存大小 18Mb (1M x 18) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 167MHz 寫周期-字，頁 - 訪問時間 8.4ns 電壓-供電 1.7V ~ 1.9V 工作溫度 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 165-TBGA 供應商設備包裝 165-CABGA (13x15) |
