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IDT71P72604S200BQI

IDT71P72604S200BQI

僅供參考

型號 IDT71P72604S200BQI
PNEDA編號 IDT71P72604S200BQI
描述 IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 5,562
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IDT71P72604S200BQI資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IDT71P72604S200BQI
類別半導體內存IC內存
數據表
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IDT71P72604S200BQI規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Synchronous, QDR II
內存大小18Mb (512K x 36)
內存接口Parallel
時鐘頻率200MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間7.88ns
電壓-供電1.7V ~ 1.9V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱165-TBGA
供應商設備包裝165-CABGA (13x15)

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IDT, Integrated Device Technology Inc

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內存類型

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內存格式

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技術

SRAM - Synchronous, SDR

內存大小

4.5Mb (256K x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

-

訪問時間

4.2ns

電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

ON Semiconductor

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

2Mb (128K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

55ns

訪問時間

55ns

電壓-供電

2.3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

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技術

SDRAM - Mobile LPDDR4

內存大小

8Gb (256M x 32)

內存接口

-

時鐘頻率

1600MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.1V

工作溫度

-40°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

200-WFBGA

供應商設備包裝

200-WFBGA (10x14.5)

7007S35J8

IDT, Integrated Device Technology

制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

256Kb (32K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

35ns

訪問時間

35ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

68-LCC (J-Lead)

供應商設備包裝

68-PLCC (24.21x24.21)

MT29F4G16ABADAM60A3WC1

Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NAND

內存大小

4Gb (256M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

-

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