IRFR12N25DTRPBF數據表











制造商 Infineon Technologies 系列 HEXFET® FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 250V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 14A (Tc) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 10V Rds On(Max)@ Id,Vgs 260mOhm @ 8.4A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 5V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 35nC @ 10V Vgs(最大) ±30V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 810pF @ 25V FET功能 - 功耗(最大值) 144W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 D-Pak 包裝/箱 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
制造商 Infineon Technologies 系列 HEXFET® FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 250V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 14A (Tc) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 10V Rds On(Max)@ Id,Vgs 260mOhm @ 8.4A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 5V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 35nC @ 10V Vgs(最大) ±30V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 810pF @ 25V FET功能 - 功耗(最大值) 144W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 D-Pak 包裝/箱 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
制造商 Infineon Technologies 系列 HEXFET® FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 250V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 14A (Tc) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 10V Rds On(Max)@ Id,Vgs 260mOhm @ 8.4A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 5V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 35nC @ 10V Vgs(最大) ±30V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 810pF @ 25V FET功能 - 功耗(最大值) 144W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 D-Pak 包裝/箱 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
制造商 Infineon Technologies 系列 HEXFET® FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 250V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 14A (Tc) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 10V Rds On(Max)@ Id,Vgs 260mOhm @ 8.4A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 5V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 35nC @ 10V Vgs(最大) ±30V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 810pF @ 25V FET功能 - 功耗(最大值) 144W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 IPAK (TO-251) 包裝/箱 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
制造商 Infineon Technologies 系列 HEXFET® FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 250V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 14A (Tc) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 10V Rds On(Max)@ Id,Vgs 260mOhm @ 8.4A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 5V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 35nC @ 10V Vgs(最大) ±30V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 810pF @ 25V FET功能 - 功耗(最大值) 144W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 D-Pak 包裝/箱 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |