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IRFR12N25DTRRP

IRFR12N25DTRRP

僅供參考

型號 IRFR12N25DTRRP
PNEDA編號 IRFR12N25DTRRP
描述 MOSFET N-CH 250V 14A DPAK
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 6,264
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 20 - 一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRFR12N25DTRRP資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRFR12N25DTRRP
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IRFR12N25DTRRP, IRFR12N25DTRRP數據表 (總頁數: 11, 大小: 225.51 KB)
PDFIRFR12N25DTRPBF數據表 封面
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IRFR12N25DTRRP規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)250V
電流-25°C時的連續漏極(Id)14A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs260mOhm @ 8.4A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs35nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds810pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)144W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D-Pak
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

240mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.2nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

80pF @ 10V

FET功能

Schottky Diode (Isolated)

功耗(最大值)

1W (Ta)

工作溫度

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安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

110A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.5mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

160nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6700pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.75W (Ta), 375W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.3A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

350mOhm @ 3.65A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

250pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

40W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

18A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

200mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

130nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3000pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

204W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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390W (Tc)

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