IRL1104STRR數據表
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制造商 Infineon Technologies 系列 HEXFET® FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 104A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 8mOhm @ 62A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 68nC @ 4.5V Vgs（最大） ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 3445pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 2.4W (Ta), 167W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 D2PAK 包裝/箱 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
制造商 Infineon Technologies 系列 HEXFET® FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 104A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 8mOhm @ 62A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 68nC @ 4.5V Vgs（最大） ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 3445pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 2.4W (Ta), 167W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 D2PAK 包裝/箱 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
制造商 Infineon Technologies 系列 HEXFET® FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 104A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 8mOhm @ 62A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 68nC @ 4.5V Vgs（最大） ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 3445pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 2.4W (Ta), 167W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 TO-262 包裝/箱 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
制造商 Infineon Technologies 系列 HEXFET® FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 104A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 8mOhm @ 62A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 68nC @ 4.5V Vgs（最大） ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 3445pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 2.4W (Ta), 167W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 D2PAK 包裝/箱 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
