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IRL1104S

IRL1104S

僅供參考

型號 IRL1104S
PNEDA編號 IRL1104S
描述 MOSFET N-CH 40V 104A D2PAK
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 6,930
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRL1104S資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRL1104S
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IRL1104S, IRL1104S數據表 (總頁數: 11, 大小: 197.79 KB)
PDFIRL1104STRR數據表 封面
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IRL1104S規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流-25°C時的連續漏極(Id)104A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs8mOhm @ 62A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs68nC @ 4.5V
Vgs(最大)±16V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds3445pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)2.4W (Ta), 167W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D2PAK
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.4A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

18mOhm @ 11.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

56nC @ 10V

Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

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5.8A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1Ohm @ 2.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 180µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

390pF @ 300V

FET功能

-

功耗(最大值)

30W (Tc)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

250mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

74nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3440pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

463W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

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功耗(最大值)

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