IS43LD32640B-18BPLI數據表
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 內存大小 2Gb (64M x 32) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 533MHz 寫周期-字,頁 15ns 訪問時間 - 電壓-供電 1.14V ~ 1.95V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TC) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 168-VFBGA 供應商設備包裝 168-VFBGA (12x12) |
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 內存大小 2Gb (64M x 32) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 533MHz 寫周期-字,頁 15ns 訪問時間 - 電壓-供電 1.14V ~ 1.95V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TC) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 134-TFBGA 供應商設備包裝 134-TFBGA (10x11.5) |
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 內存大小 2Gb (64M x 32) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 400MHz 寫周期-字,頁 15ns 訪問時間 - 電壓-供電 1.14V ~ 1.95V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TC) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 168-VFBGA 供應商設備包裝 168-VFBGA (12x12) |
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 內存大小 2Gb (128M x 16) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 533MHz 寫周期-字,頁 15ns 訪問時間 - 電壓-供電 1.14V ~ 1.95V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TC) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 134-TFBGA 供應商設備包裝 134-TFBGA (10x11.5) |
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 內存大小 2Gb (64M x 32) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 400MHz 寫周期-字,頁 15ns 訪問時間 - 電壓-供電 1.14V ~ 1.95V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TC) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 134-TFBGA 供應商設備包裝 134-TFBGA (10x11.5) |
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 內存大小 2Gb (128M x 16) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 400MHz 寫周期-字,頁 15ns 訪問時間 - 電壓-供電 1.14V ~ 1.95V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TC) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 134-TFBGA 供應商設備包裝 134-TFBGA (10x11.5) |
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 內存大小 2Gb (64M x 32) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 533MHz 寫周期-字,頁 15ns 訪問時間 - 電壓-供電 1.14V ~ 1.95V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TC) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 168-VFBGA 供應商設備包裝 168-VFBGA (12x12) |
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 內存大小 2Gb (64M x 32) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 533MHz 寫周期-字,頁 15ns 訪問時間 - 電壓-供電 1.14V ~ 1.95V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TC) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 168-VFBGA 供應商設備包裝 168-VFBGA (12x12) |
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 內存大小 2Gb (128M x 16) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 533MHz 寫周期-字,頁 15ns 訪問時間 - 電壓-供電 1.14V ~ 1.95V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TC) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 134-TFBGA 供應商設備包裝 134-TFBGA (10x11.5) |
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