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IS43LD16128B-18BLI

IS43LD16128B-18BLI

僅供參考

型號 IS43LD16128B-18BLI
PNEDA編號 IS43LD16128B-18BLI
描述 IC DRAM 2G PARALLEL 533MHZ
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 7,110
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 18 - 二月 23 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS43LD16128B-18BLI資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS43LD16128B-18BLI
類別半導體內存IC內存
數據表
IS43LD16128B-18BLI, IS43LD16128B-18BLI數據表 (總頁數: 145, 大小: 6,533.95 KB)
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IS43LD16128B-18BLI規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
內存大小2Gb (128M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率533MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間-
電壓-供電1.14V ~ 1.95V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱134-TFBGA
供應商設備包裝134-TFBGA (10x11.5)

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內存接口

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時鐘頻率

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訪問時間

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電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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時鐘頻率

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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工作溫度

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