IS43R16160B-6TLI-TR數據表
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制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM - DDR 內存大小 256Mb (16M x 16) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 166MHz 寫周期-字，頁 15ns 訪問時間 700ps 電壓-供電 2.3V ~ 2.7V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝 66-TSOP II |
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM - DDR 內存大小 256Mb (16M x 16) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 166MHz 寫周期-字，頁 15ns 訪問時間 700ps 電壓-供電 2.3V ~ 2.7V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝 66-TSOP II |
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM - DDR 內存大小 256Mb (16M x 16) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 200MHz 寫周期-字，頁 15ns 訪問時間 700ps 電壓-供電 2.3V ~ 2.7V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝 66-TSOP II |
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM - DDR 內存大小 256Mb (16M x 16) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 200MHz 寫周期-字，頁 15ns 訪問時間 700ps 電壓-供電 2.3V ~ 2.7V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝 66-TSOP II |
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM - DDR 內存大小 256Mb (32M x 8) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 200MHz 寫周期-字，頁 15ns 訪問時間 700ps 電壓-供電 2.3V ~ 2.7V 工作溫度 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝 66-TSOP II |
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM - DDR 內存大小 256Mb (32M x 8) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 166MHz 寫周期-字，頁 15ns 訪問時間 700ps 電壓-供電 2.3V ~ 2.7V 工作溫度 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝 66-TSOP II |
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM - DDR 內存大小 256Mb (16M x 16) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 200MHz 寫周期-字，頁 15ns 訪問時間 700ps 電壓-供電 2.3V ~ 2.7V 工作溫度 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝 66-TSOP II |
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM - DDR 內存大小 256Mb (16M x 16) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 166MHz 寫周期-字，頁 15ns 訪問時間 700ps 電壓-供電 2.3V ~ 2.7V 工作溫度 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝 66-TSOP II |
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM - DDR 內存大小 256Mb (32M x 8) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 200MHz 寫周期-字，頁 15ns 訪問時間 700ps 電壓-供電 2.3V ~ 2.7V 工作溫度 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝 66-TSOP II |
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM - DDR 內存大小 256Mb (32M x 8) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 166MHz 寫周期-字，頁 15ns 訪問時間 700ps 電壓-供電 2.3V ~ 2.7V 工作溫度 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝 66-TSOP II |
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM - DDR 內存大小 256Mb (16M x 16) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 166MHz 寫周期-字，頁 15ns 訪問時間 700ps 電壓-供電 2.3V ~ 2.7V 工作溫度 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝 66-TSOP II |
