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IS43R16160B-6TL

IS43R16160B-6TL

僅供參考

型號 IS43R16160B-6TL
PNEDA編號 IS43R16160B-6TL
描述 IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 3,042
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 26 - 三月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS43R16160B-6TL資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS43R16160B-6TL
類別半導體內存IC內存
數據表
IS43R16160B-6TL, IS43R16160B-6TL數據表 (總頁數: 41, 大小: 878.57 KB)
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IS43R16160B-6TL規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR
內存大小256Mb (16M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率166MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間700ps
電壓-供電2.3V ~ 2.7V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝66-TSOP II

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內存大小

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內存接口

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10ns

電壓-供電

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安裝類型

Surface Mount

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Micron Technology Inc.

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

400ps

電壓-供電

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安裝類型

Surface Mount

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Winbond Electronics

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

16Mb (2M x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

104MHz

寫周期-字,頁

3ms

訪問時間

-

電壓-供電

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工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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制造商

Alliance Memory, Inc.

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

2Mb (256K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

55ns

訪問時間

55ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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制造商

Micron Technology Inc.

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

16Mb (1M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

70ns

訪問時間

70ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-30°C ~ 85°C (TC)

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Surface Mount

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