IXBX75N170數據表
|
制造商 IXYS 系列 BIMOSFET™ IGBT類型 - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 1700V 當前-集電極（Ic）（最大值） 200A 電流-集電極脈沖（Icm） 580A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic 3.1V @ 15V, 75A 功率-最大 1040W 開關能量 - 輸入類型 Standard 門禁費用 350nC 25°C時的Td（開/關） - 測試條件 - 反向恢復時間（trr） 1.5µs 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-247-3 供應商設備包裝 PLUS247™-3 |
制造商 IXYS 系列 BIMOSFET™ IGBT類型 - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 1700V 當前-集電極（Ic）（最大值） 200A 電流-集電極脈沖（Icm） 580A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic 3.1V @ 15V, 75A 功率-最大 1040W 開關能量 - 輸入類型 Standard 門禁費用 350nC 25°C時的Td（開/關） - 測試條件 - 反向恢復時間（trr） 1.5µs 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-264-3, TO-264AA 供應商設備包裝 TO-264 |
