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IXBK75N170

IXBK75N170

僅供參考

型號 IXBK75N170
PNEDA編號 IXBK75N170
描述 IGBT 1700V 200A 1040W TO264
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 6,642
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 21 - 六月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXBK75N170資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXBK75N170
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
IXBK75N170, IXBK75N170數據表 (總頁數: 5, 大小: 179.72 KB)
PDFIXBX75N170數據表 封面
IXBX75N170數據表 頁面 2 IXBX75N170數據表 頁面 3 IXBX75N170數據表 頁面 4 IXBX75N170數據表 頁面 5

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IXBK75N170規格

制造商IXYS
系列BIMOSFET™
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1700V
當前-集電極(Ic)(最大值)200A
電流-集電極脈沖(Icm)580A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic3.1V @ 15V, 75A
功率-最大1040W
開關能量-
輸入類型Standard
門禁費用350nC
25°C時的Td(開/關)-
測試條件-
反向恢復時間(trr)1.5µs
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-264-3, TO-264AA
供應商設備包裝TO-264

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電流-集電極脈沖(Icm)

120A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 30A

功率-最大

58W

開關能量

151µJ (on), 293µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

149nC

25°C時的Td(開/關)

37ns/146ns

測試條件

400V, 30A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

48A

電流-集電極脈沖(Icm)

96A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 24A

功率-最大

150W

開關能量

1.3mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

41nC

25°C時的Td(開/關)

50ns/150ns

測試條件

480V, 24A, 33Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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制造商

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系列

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

75A

電流-集電極脈沖(Icm)

180A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3V @ 15V, 45A

功率-最大

300W

開關能量

21mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

150nC

25°C時的Td(開/關)

80ns/400ns

測試條件

960V, 45A, 2.7Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

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電流-集電極脈沖(Icm)

195A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.15V @ 15V, 50A

功率-最大

415W

開關能量

755µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

235nC

25°C時的Td(開/關)

16ns/225ns

測試條件

400V, 50A, 4.7Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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門禁費用

84nC

25°C時的Td(開/關)

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測試條件

300V, 20A, 30Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

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