KSD5041PBU數據表
|
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN 當前-集電極（Ic）（最大值） 5A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 20V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 1V @ 100mA, 3A 當前-集電極截止（最大值） 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 180 @ 500mA, 2V 功率-最大 750mW 頻率-過渡 150MHz 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝 TO-92-3 |
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN 當前-集電極（Ic）（最大值） 5A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 20V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 1V @ 100mA, 3A 當前-集電極截止（最大值） 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 340 @ 500mA, 2V 功率-最大 750mW 頻率-過渡 150MHz 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝 TO-92-3 |
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN 當前-集電極（Ic）（最大值） 5A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 20V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 1V @ 100mA, 3A 當前-集電極截止（最大值） 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 230 @ 500mA, 2V 功率-最大 750mW 頻率-過渡 150MHz 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝 TO-92-3 |
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN 當前-集電極（Ic）（最大值） 5A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 20V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 1V @ 100mA, 3A 當前-集電極截止（最大值） 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 180 @ 500mA, 2V 功率-最大 750mW 頻率-過渡 150MHz 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝 TO-92-3 |
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN 當前-集電極（Ic）（最大值） 5A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 20V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 1V @ 100mA, 3A 當前-集電極截止（最大值） 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 230 @ 500mA, 2V 功率-最大 750mW 頻率-過渡 150MHz 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝 TO-92-3 |
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN 當前-集電極（Ic）（最大值） 5A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 20V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 1V @ 100mA, 3A 當前-集電極截止（最大值） 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 340 @ 500mA, 2V 功率-最大 750mW 頻率-過渡 150MHz 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝 TO-92-3 |
