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KSD5041PBU

KSD5041PBU

僅供參考

型號 KSD5041PBU
PNEDA編號 KSD5041PBU
描述 TRANS NPN 20V 5A TO-92
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,240
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

KSD5041PBU資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號KSD5041PBU
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
KSD5041PBU, KSD5041PBU數據表 (總頁數: 8, 大小: 322.4 KB)
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KSD5041PBU規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)5A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)20V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1V @ 100mA, 3A
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce180 @ 500mA, 2V
功率-最大750mW
頻率-過渡150MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝TO-92-3

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 500mA, 2V

功率-最大

900mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 10mA, 10V

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625mW

頻率-過渡

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安裝類型

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3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

350mV @ 50mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

82 @ 500mA, 2V

功率-最大

900mW

頻率-過渡

160MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 5V

功率-最大

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

100mV @ 200mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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